saber仿真中电容的ic怎么设置
Saber下IGBT的通用模型主要有以下几个:
1.IGBT,No buffer Layer,Transistor
这个模型来源于美国国家标准与技术研究院(NIST),基于器件的物理模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比较准确的反应IGBT的电流电压以及充电特性.
2.IGBT Data Sheet Driven,Transistor
这是一个表征IGBT行为特征的模型,它需要的参数基本可以从器件的Datasheet上取得,可以反应IGBT的静态特性,非线性极间电容以及IGBT关断时的拖尾电流.
3.IGBT Data Sheet Driven,Static therl
这是一个表征IGBT行为特征的模型,它需要的参数基本可以从器件的Datasheet上取得,可以反应IGBT的静态热特性,沟道调制效应,非线性极间电容以及IGBT关断时的拖尾电流.
4.Data Sheet Driven,Dynamic therl
这是一个表征IGBT行为特征的模型,它需要的参数基本可以从器件的Datasheet上取得,可以反应IGBT的动态热特性,沟道调制效应,非线性极间电容以及IGBT关断时的拖尾电流.
5.IGBT Buffer Self-Heat,Transistor
这个模型来源于美国国家标准与技术研究院(NIST),基于Henfer带缓冲层自加热模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比较准确的反应IGBT的电流、电压、充电以及动态热特性.
6.IGBT Buffer Layer,Transistor
这个模型来源于美国国家标准与技术研究院(NIST),基于Henfer带缓冲层模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比较准确的反应IGBT的电流、电压以及充电特性.
7.Self-Heat,Transistor
这个模型来源于美国国家标准与技术研究院(NIST),基于Henfer模型,以它的主要研究者A.R.Hefner命名,可以比较准确的反应IGBT的电流、电压以及充电特性.
每个模型所需参数要求不一，具体参数怎么设定可参照saber中对应IGBT说明，右键-view template。硬之城有这个型号的 可以去看看有这方面的资料么
可以改变，右击properties-再右击select
all-再右击change
attributes
选Font即可修改，但我还不知道怎样一次性更改多个，希望高手回答
电感是储存磁场能量，能量与电流成正比，当电压加在电感上，电感会产生自感电势阻碍电流的变化，本质就是电能转换成磁能的过程，电流只能逐步增加，所以电流滞后电压。
电容是储存电场能量，电压与电容储存的电荷成正比，所以电压不会突变，只能随着电荷积累的过程逐步上升，即电压滞后电流。
这些特性是电感、电容固有的物理属性，客观世界就是这样。因此：
在交流电路中电压和电流的相位有三种情况，当负载是纯电阻性质时，电压和电流相位相同；当负载是（或含有）电感性质时，电压相位超前电流；当负载是（或含有）容性负载时，电压相位滞后电流，或者说，电流相位超前电压，如：平常用的异步电机，就是感性负载，用来补偿电网功率因数的补偿电容就是容性负载。
储能元件本身不消耗能量，但是引起的电流会在线路电阻上消耗能量，也会占用发电机的输出功率，所以要尽量克服，这就是必须提高系统功率因数的原因，功率因数是表示电力系统有功功率占比的参数。
测电容，f=1MHZ
测浪涌电流和钳位电压，1.2/50μS或者8/20μS雷击测试仪
反向测试能击穿，正向测试能导通，就是好的
坏了，一般是短路，极端高压下，会开路
