什么是瓷片电容

瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。

优点：稳定，绝缘性好，耐高压           缺点：容量比较小

贴片电容全称为：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。英文全称：Multi-layerceramiccapacitors。英文缩写：MLCC。

贴片电容的分类：

1、NPO电容器

2、 X7R电容器

3、 Z5U电容器

4、 Y5V电容器

区别：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

1、材质不同

陶瓷电容无极性，电解电容有极性。

2、容量不同

陶瓷电容的容量一般较小，电解电容的容值可以做得很大。

3、用途不同

陶资电容一般用于信号源滤波，而电解电容一般用于电源部分。

作用：

电解电容器广泛应用于家用电器和各种电子产品中，其容量范围较大，一般为1~33000μF，额定工作电压范围为6.3~700V。其缺点是介质损耗、容量误差较大（最大允许偏差为+100%、-20%），耐高温性较差，存放时间长容易失效。

陶瓷电容高频特性好，多用于高频电路。瓷片电容可滤除高频纹波，故可用作高通滤波。瓷片电容可用于纯交流电路。

参考资料来源：百度百科-陶瓷电容

参考资料来源：百度百科-电解电容

符号：

电容量：40p--4u

额定电压：63--630V

主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差

应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路

2）名称：高频瓷介电容（CC）

符号：

电容量：1--6800p

额定电压：63--500V

主要特点：高频损耗小，稳定性好

应用：高频电路

3）名称：低频瓷介电容（CT）

符号：

电容量：10p--4。7u

额定电压：50V--100V

主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差

应用：要求不高的低频电路

4）名称：铝电解电容

符号：

电容量：0。47--10000u

额定电压：6。3--450V

主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大

应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等

更具体的见参考资料

定义

瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。

分类

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

优缺点

优点：稳定，绝缘性好，耐高压

缺点：容量比较小

作用

MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温.主要应用于高频电路中.

MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本.主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用。

测试条件：在频率1KHZ、电压1±0.2Vrms、温度25±2℃下测试

材料分为： 2B4（Y5P） 2E4（Z5U） 2F4（Y5V）

如果排除您产品自身的原因，还可以是您的测试设备的精度不够引起的。

protel的封装绝大部分可以在封装库里找到，但是有一些是没有的。这就需要自己做一个，如果要做真的PCB板你就要按照实际元器件的尺寸去做。

做封装的简单步骤：

1、在打开的数据库文件中点击file》new.....会弹出如下对话框

2、选择PCB Library Document然后会生成PCBLIB.LIB的文件

3、通过该文件你就可以做元件的封装了

4、把你做的封装加载进去就可以调用了

瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。

I型（CC型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。

II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。

CC1型圆片高频瓷介电容

适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。损耗：《0.025绝缘电阻：10000mohm 试验电压：200v

允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）温度系数：-150--- -1000PPM/C环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%

CT1型圆形瓷片低频电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101—472 （+-10%） 472-403（+80-- -20%）

CC01圆形瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）

温度系数：1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM

56—180P –750(+-250)PPM

180—390P –1300(+-250)PPM

430—820P –3300(+-500)PPM

CT01圆形瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《0.05绝缘电阻：1000mohm

允差：+80 -20%容量：1000-47000p

工作电压：63v 试验电压：200v CC10 超高频瓷介电容

可用于《500MHZ下，环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 压力33mmhg 震动强度：加速度10g 冲击：加速度25g 离心：加速度15g

允差：k容量：1-47p工作电压：500v

CC11,CT11园片无引线瓷片电容

该电容特为高频头设计，频率特性好。

CC11直流电压：250V标称容量：3—39P损耗：《0.0015 绝缘》10000mohm

CT11直流电压：160V标称容量：240—1500 绝缘》2500mohm

CT82,CC82高压高功率瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达98%大气 压力40000PA 震动：加速度15g 冲击：加速度15g额定电压：1—4kv 试验电压：2.5—8kv允差：K,M

独石瓷介电容器：

CC4D独石瓷介电容器

环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力666.6PA损耗《15*10(-4)容量：100-100000p工作电压：40v 试验电压：120v

CT4D独石瓷介电容器

环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力1000PA损耗《0.035容量：0.033-2.2uf工作电压：40v-100v 试验电压：3UW允差：+80-20%

CC2,CT2管形瓷介电容器

与片形瓷介电容相比，机械强度高，用作旁路时内电极屏蔽性能好，用在高频电阻杂散耦合好，缺点是固有谐振频率低，制造工艺复杂，产量低。

CT2 损耗《0.04绝缘电阻<1000mohm 试验电压：480v

使用条件：-55—85c相对湿度：40C时达98% CC3,CCTD型叠片瓷介电容器CCTF型方形叠片瓷片电容器

CC3损耗《0.0015 容量：33-1000P 允差：K,M 工作电压：100V

CCTD损耗《0.035 容量：470-33000P 允差：+80-20% 工作电压：250V

CCTF损耗《0.04 容量：10000-47000P 允差：+80-20% 工作电压：160V

CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介电容

该类电容使用于VHF,UHF调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。

CC52E-1C 容量：2-33P工作电压：63V 绝缘电阻：10000mohm损耗：《0.0015

CC53-2C 容量：1000-1500P工作电压：160V 绝缘电阻：1000mohm损耗《0.035

CT87鼓形高压低频瓷介电容器,该电容主要使用于电子设备的脉冲电路。CC87-1 容量：470P工作电压：10KV 绝缘电阻：10000mohm

CCG81型板形高功率瓷介电容：使用于大功率高频电子设备中。容量：1000P 工作电压20KV(高频15KV) 额定无功功率：100KVA最大电流：25A 最大重量：1.3KG

这的DXP的画封装：

1.进入画封装页面：File-----New-----PCB Librariy

2.画封装，最重要的是画出的要和实际的元件大小一致，否则做出来的板子就插不上元件。所以设置合理的参数是很有必要的。 打开参数设置窗口：在页面中点击右键-----Option… ----->Library Option… 就是Board Options窗口。 先把度量单位改为“米”制：在measurement unit中把imperial为metric。 Snap Grid是设置鼠标每移动一格的距离。我一般把X、Y都设成1mil，移动的距离最小，也就是精度最高的。

visible grid为可视网格。就是页面中显示的格子的大小，元件用毫米还量度就足够了，所以grid 1和grid 2都设置成1mm（要自己输入1mm）。即可视网格边长为1毫米。这样用尺子量好元件大小时，在这里画就很容易知道画出来的线的长度，而不必要再用工具“Place Standard Dimension”测量了。其它的都才用默认就可以。

3.接下来的一步也很重要，就是一定要在页面的中心画元件封装，否则画出来的封装在PCB页面中就会出现这样的情况：点击那个元件封装，鼠标居然跑到其它地方去了，这样就很难布局好元件。这种现象主要是因为画的封装的中心偏了。解决办法很简单，先点击一个焊盘“Place Pad”，然后按住键盘的“Ctrl+End”键，这时鼠标箭头会自动跑到页面中心，放下那个焊盘做为标记。这样，就可以以那个焊盘为中心画封装啦。画完再把那个定位的焊盘删掉即可。

protel元件封装总结

零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一零件封

装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻

孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件

不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD元件放上，即可焊接在电路板上了。

电阻 AXIAL

无极性电容 RAD

电解电容 RB-

电位器 VR

二极管 DIODE

三极管 TO

电源稳压块78和79系列 TO－126H和TO-126V

场效应管 和三极管一样

整流桥 D－44 D－37 D－46

单排多针插座 CON SIP

双列直插元件 DIP

晶振 XTAL1

电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列

无极性电容：cap封装属性为RAD-0.1到rad-0.4

电解电容：electroi封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0

电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5

二极管：封装属性为diode-0.4(小功率）diode-0.7(大功率）

三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管）to-3(大功率达林

顿管）

电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等

79系列有7905，7912，7920等

常见的封装属性有to126h和to126v

整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）

电阻： AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4

瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。 其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1

电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般<100uF用

RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6

二极管： DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4

发光二极管：RB.1/.2

集成块： DIP8-DIP40, 其中8－40指有多少脚，8脚的就是DIP8

贴片电阻

0603表示的是封装尺寸 与具体阻值没有关系

但封装尺寸与功率有关 通常来说

0201 1/20W

0402 1/16W

0603 1/10W

0805 1/8W

1206 1/4W

电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:

0402=1.0x0.5

0603=1.6x0.8

0805=2.0x1.2

1206=3.2x1.6

1210=3.2x2.5

1812=4.5x3.2

2225=5.6x6.5

关于零件封装我们在前面说过，除了DEVICE。LIB库中的元件外，其它库的元件都已经有了

固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下：

晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE。LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP之分，但

实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3，如果它是NPN的2N3054，则有

可能是铁壳的TO-66或TO-5，而学用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，还有TO-5，TO-46，TO-5

2等等，千变万化。

还有一个就是电阻，在DEVICE库中，它也是简单地把它们称为RES1和RES2，不管它是100Ω

还是470KΩ都一样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决

定的我们选用的1/4W和甚至1/2W的电阻，都可以用AXIAL0.3元件封装，而功率数大一点的话

，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下：

电阻类及无极性双端元件 AXIAL0.3-AXIAL1.0

无极性电容 RAD0.1-RAD0.4

有极性电容 RB.2/.4-RB.5/1.0

二极管 DIODE0.4及 DIODE0.7

石英晶体振荡器 XTAL1

晶体管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5)

可变电阻（POT1、POT2） VR1-VR5

当然，我们也可以打开C:\Client98\PCB98\library\advpcb.lib库来查找所用零件的对应封

装。

这些常用的元件封装，大家最好能把它背下来，这些元件封装，大家可以把它拆分成两部分

来记如电阻AXIAL0.3可拆成AXIAL和0.3，AXIAL翻译成中文就是轴状的，0.3则是该电阻在印

刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil（因为在电机领域里，是以英制单位为主的。同样

的，对于无极性的电容，RAD0.1-RAD0.4也是一样；对有极性的电容如电解电容，其封装为R

B.2/.4，RB.3/.6等，其中“.2”为焊盘间距，“.4”为电容圆筒的外径。

对于晶体管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶体管，就用TO—3，中功率的晶体管

，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金属壳的，就用TO-66，小功率的晶体管，就用TO-5

，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管脚也长，弯一下也可以。

对于常用的集成IC电路，有DIPxx，就是双列直插的元件封装，DIP8就是双排，每排有4个引

脚，两排间距离是300mil,焊盘间的距离是100mil。SIPxx就是单排的封装。等等。

值得我们注意的是晶体管与可变电阻，它们的包装才是最令人头痛的，同样的包装，其管脚

可不一定一样。例如，对于TO-92B之类的包装，通常是1脚为E（发射极），而2脚有可能是

B极（基极），也可能是C（集电极）；同样的，3脚有可能是C，也有可能是B，具体是那个

，只有拿到了元件才能确定。因此，电路软件不敢硬性定义焊盘名称（管脚名称），同样的

，场效应管，MOS管也可以用跟晶体管一样的封装，它可以通用于三个引脚的元件。

Q1-B，在PCB里，加载这种网络表的时候，就会找不到节点（对不上）。

在可变电阻上也同样会出现类似的问题；在原理图中，可变电阻的管脚分别为1、W、及2，

所产生的网络表，就是1、2和W，在PCB电路板中，焊盘就是1，2，3。当电路中有这两种元

件时，就要修改PCB与SCH之间的差异最快的方法是在产生网络表后，直接在网络表中，将晶

体管管脚改为1，2，3；将可变电阻的改成与电路板元件外形一样的1，2，3即可。