陶瓷电容器0805封装是什么规格
c:是电容的单位代码
0805:代表电容的尺寸规格,0805=2.0mmx1.2mm
KR:电容容值误差代码,KR=+-10%
X7R:电容的分类代码,X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器
9bb:耐压值,9bb=50V
821:代表电容大小。821=820pf
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瓷片电容技术的发展历程:1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容;30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介质电容;1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后,开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年,随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来,瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件,而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷,其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后,高介电系数的PB(铅)退出瓷片电容技术参数领域,现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富,结构简单,价格低廉,而且电容量范围较宽(一般有几个PF到上百μF),损耗较小,电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多,外形尺寸相差甚大从0402(约1×0.5mm)封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容;按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容;按工作电压可分为低压和高压瓷片电容;按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类:瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类,即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数(ClassⅠceramiccapacitor),过去称高频瓷片电容技术参数(High-freqencyceramiccapacitor),是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路,以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数(ClassⅡceramiccapacitor)过去称为为低频瓷片电容技术参数(Lowfrequencycermiccapacitor),指用铁电陶瓷作介质的电容,因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大,电容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有:X7R、X5R、Y5V、Z5U其中:X7R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字7位最高工作温度+125℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;X5R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;Y5V表示为:第一位Y为最低工作温度-30℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%,-82%±15%
Z5U表示为:第一位Z为最低工作温度+10℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%,-56%
高压陶瓷电容一个主要的特点就是耐压高,电压一般大于1KV的电压。高压陶瓷电容常规有2KV、3KV、4KV电压。常用于高压场合。最高的可达30KV的电压。
高压陶瓷电容,以陶瓷材料为介质的圆片形电容器。外壳是陶瓷的,用来绝缘。陶瓷电容封装必须要用环氧树脂进行封装。
如果高压陶瓷电容不用环氧树脂封装,就会让陶瓷电容直接接触空气,这会直接影响到电容器的容量和容抗。陶瓷电容如果接触到空气,其容量就会变低,甚至使得高压陶瓷电容可能会从原本想生产的2000PF的高压陶瓷电容如果没有封装会变成几百PF的电容。另外如果陶瓷电容如果接触空气也会导致其容抗降低,而且随着电阻值和容量越来越小,将会导致陶瓷电容性能尽失。所以高压陶瓷电容生产过程必须要进行封装。以上元器件知识由JEC为您提供。
按结构形式分类,又可分为圆片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿心电容器等多种
电容就像水杯一样,越大的水杯,装的水越多
电容尺寸越大,容量越大
电容的容量单位是F,基本单位还有pF、nF和uF
电容中存储的电量是“容值x电压”
这个电压指的是耐压值,就是电容能充电充到多少伏
电量和容值成正比,和电压成正比,和体积也成正比
一般陶瓷电容起步容量有0.5pF的,并且根据瓷片的不同尺寸和容量也会不同,常用的0402电容大一般是10uF,0805的电容大一般是47uF
大容量可达100UF,例如日本的一间公司成功研制出电容量大为100μF,高耐压为25V的大容量陶瓷电容,该产品可用于液晶显示器的电源线路
选购电容器不能一味的选择大容量,选择合适的才是正确的,例如0402电容可以做到10uF10V,0805的电容可以做到47uF10V,但是为了好采购、成本低,一般都不会顶格选电容,一般推荐0402选4.7uF,0603选10uF,0805选22uF
因此一定要结合自身电路需求去选择合适的电容器,不要盲目选择大容量的电容
1031KV瓷片电容是高压瓷片电容,应用于各类电子产品中
1031KV瓷片电容是否能做K的,我们先了解基础知识
K.M.J代表电容量误差值K代表容量偏差±10%M代表偏差±20%J代表偏差±5%也就是说比如1000PF的容量,容许误差在1000+1000*10%和1000-1000*10%之间.不同的偏差效果也有些不同.通常和多情况偏差小的能够代替偏差大的.103就是10*10^3=10000pf=0.01uF1031KV瓷片电容由于容量较大,一般都是M的,也就是误差为±20%
对于一些精度要求的产品,需要用到K档的,是可以订制的
1031KV瓷片电容做K的,是Y5P103K1KV,脚距10mm,外径尺寸较大,在14.5mm左右
属订制产品
一般应用在电压等级比较高的回路。
而独石电容器,大多50v,100v。200v的独石电容器都很少见。
独石电容器大多应用在控制回路(信号回路)。
瓷片电容器,尺寸一般比独石电容器大不少。
只要空间放得下,容量一致,应用场合要求不那么严格,替代是可以的。
电容104是0.1uF大小的电容,也就是100000pF大小的电容。计算方法是10乘以10的4次方的100000,单位是pF。这种方法为数学计数法。
电容容值单位转换:1法拉(F)=1000毫法(mF);1毫法(mF)=1000微法(μF);1微法(μF)=1000纳法(nF);1纳法(nF)=1000皮法(pF);即:1F=1000000μF;1μF=1000000pF。
扩展资料
电容容量标示的方法:
直标法是用数字和单位符号直接标出。如1uF表示1微法,有些电容用“R”表示小数点,如R56表示0.56微法。数学计数法是用三位数字标示,第一位和第二位数字为有效数字,第三位数字为倍数。
文字符号法是用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF、1p0表示1pF、6P8表示6.8pF、2u2表示2.2uF。色标法是用色环或色点表示电容器的主要参数,电容器的色标法与电阻相同。
参考资料来源:百度百科-电容器
GRM——镀锡电极品(普通贴片陶瓷电容) 常用的村田电容就是GRM普通贴片陶瓷电容与GNM普通贴片排容。——尺寸(长*宽)(1.6*0.8mm) 国内通用尺寸表示是(长*宽)1.6*0.8mm(单位为mm).国际上通用尺寸表示是用英0603(单位为inch),
村田的常用代码有03,15,18,21,31,32,42,43,55等,具体的对应值如下:
03----0.6*0.3mm----0201 15----1.0*0.5mm----0402 18----1.6*0.8mm----0603 21----2.0*1.25mm----0805
31----3.2*1.6mm----1206 32----3.2*1.5mm----1210 42----4.5*2.0mm----1808 43----4.5*3.2mm----1812
55----5.7*5.0mm----2220
——表示厚度(T)(0.8mm) 常用厚度村田代码有5,6,8,9,B,C,E等,具体的对应值如下:
5----0.5mm 6----0.6mm 8----0.8mm 9----0.9mm B----1.25mm C----1.6mm E----2.5mm
R7——表示材质(X7R) 常用材质村田代码有5C,R6,R7,F5等,具体的对应值如下:
5C----COG/NPO/CH R6----X5R R7----X7R F5-----Y5V
5C工作温度是-55度——+125度,温度系数是0+-30ppm/度;
R6工作温度是-55度——+85度,温度系数是+-15%;
R7工作温度是-55度——+125度,温度系数是+-15%;
F5工作温度是-30度——+85度。温度系数是+22,-82%
100pf以下小容值的一般采用5C材质,100PF——1uf的一般采用R7材质,1uf以上一般采用R6材质,精度要求不高的一般采用F5材质。材质的选用直接影响到电容值的精度与耐温度情况。
1C——表示额定电压(DC16V) 常用电压村田表示有0J,1A,1C,1E,1H等,对应值如下:
0J------6.3V 1A------10V 1C------16V 1E-----25V 1H-----50V
225——表示静电容量(2.2UF) 由3位字母数字表示,单位为皮法(pF)。第1位和第2位数字为有效数字,第3位数字表示有效数字后的0的个数,有小数点时以大写字母“R”表示,此时所有数字均为有效数字。
比如:R50表示0.50也就是0.5pF1R0表示1.0pF101表示100pF(也就是前2位10为有效数字.第3位1为前面10有效数字后0的个字为1个.也就是100pF)
1微法(UF)=1000纳法(NF) 1纳法(NF)=1000皮法(pF)
K——表示静电容量允许偏差(+-10%) 静电容量允许偏差,也就是常说的档位、精度(+-10%)
常用档位有B、C、D、J、K、M、Z,具体对应值如下:
B=+-0.1pF C=+-0.25pF D=+-0.5pF J=+-5% K=+-10% M=+-20% Z=+80,-20%
正常5C材质的精度可做到B、C、D、J档;R6、R7材质的精度可做到K、M档;F5材质精度是Z档。
E15——个别规格代码 (可忽略,不重要)——包装方式(直径180mm纸带编带盘装) 常用包装方式有L、D、B等,具体方式如下:
L表示直径180mm的压纹带(塑料)编带盘装;D表示直径180mm纸带编带盘装;B表示散袋装。
电解电容与瓷片电容的区别是因为内部电极和绝缘介质材料不同,所以电解电容通常有极性,而瓷片电容没有。电解电容有很多缺点,但有一个突出优点,电解电容的制造方法使得它比较容易得到相对较大的容量/体积比,即在较小的空间内,得到较大的容量。很容易做出上万微法的,而瓷片电容的工艺则很难做到这点,假若发明一种方法能造出达到电解电容的容量/体积比的瓷片电容,电解电容就会被淘汰,可惜目前还没人发明。
电子电路(不考虑电力电路)瓷片电容通常最大为数十微法,与耐压有关,低压的芝麻大小,高压的要火柴盒大小。而电解电容也有很小的,比黄豆略小,也可达到数十微法、几十伏特耐压。