超级电容器生产厂家推荐（四大厂家盘点）

保险不烧但是烧电阻这个没啥问题，维修中总遇到，一般不导致+300V主电源过流就不会烧保险。

一个电容450，这应该是我听到过的最奢侈的电容器了，以前回答问题的时候见过110元换一个消磁电阻的，您比他更惨。一般情况下，一个470μF以下的低压电解电容器零售价五毛钱都不到，网上一两毛钱就能买到。就算是300V主滤波电容，那么大的一个大电解，零售价也就两块钱左右。瓷片电容的价格更是以分来计算的。建议你找电视台曝光一下。

瓷片电容的高频特性好，但电容值最大只能做到0.1uf。瓷片电容也属于陶瓷电容的一种，陶瓷电容是总称。瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

而陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

多层陶瓷电容

又分为2种，是贴片陶瓷电容和独石电容

独石电容就是在陶瓷贴片电容的两端焊接上引脚并且包封的电容

独石电容又分为径向独石电容和轴向独石电容

1个22pF低压瓷片电容的价格不到5分钱，网购的话运费太不划算。

这两种电容从不同的角度看是有一定的差别，接下来我要分析的是这两者的区别

大家可以根据优势选择合适的电容

瓷片电容采用的是薄瓷片两面渡金属膜银而成

其优点就是体积小，耐压高，价格低，频率高（有一种是高频电容），相对来说，有利必有弊，而瓷片电容的弊端就是易碎！容量低

经常被应用在高频震荡、谐振、退耦、音响中

瓷片电容用陶瓷粉模压成型，然后烧结而成

(陶瓷又分I类瓷、II类瓷、III类瓷)单片瓷单层结构，一般纽扣大小带两根引脚

正因为单层结构，瓷片电容器一般容量不大但电压高

MLCC电容多层结构，往往一个MLCC内部多达几十层甚至更多

其中每一单层都相当于一个电容，几十层就相当于几十个电容器并联

所以MLCC容量做很大,但电压不高

一般都是表面贴封装

独石电容则体积比CBB更小，其他同CBB，有感经常会用于模拟、数字电路信号旁路、滤波、音响中

独石电容完全是MLCC的一个变种，在MLCC上焊接两根引线用环氧树脂封装

瓷片电容体积小，温度系数范围广，介质损耗小，漏电小，耐潮湿

缺点：容量小，机械强度差

独石电容容量大，适于低频

瓷片电容适于高频

可以取代

以上的内容就是多角度看待瓷片电容和独石电容

通过这两者的对比，是否有了解到哪种电容更具有优势呢

在选用任何一款电容都好做好功课，就不会在选用上浪费时间

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不同的电容有不同的特性，今天我们就来探讨下瓷片电容、独石电容和贴片电容的区别在哪里吧。

瓷片电容：

瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

优点：稳定，绝缘性好，耐高压

缺点：容量比较小

独石电容：

独石电容是多层陶瓷电容器的别称，英文名称monolithic ceramic capacitor或multi-layer ceramic capacitor, 简称MLCC，根据所使用的材料，可分为三类。

一类为温度补偿类NPO电介质这种电容器电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。

二类为高介电常数类X7R电介质由于X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。

三类为半导体类Y5V电介质这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。

特点：温度特性好，频率特性好。一般电容随着频率的上升,电容量呈现下降的规律，独石电容下降比较少，容量比较稳定。

陶瓷电容：

陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。

选择合适的电容，会大大提升产品性能哟

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠

陶瓷材料有几个种类

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等

和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容

按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等

瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数

Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容

它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿

Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数

这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%

Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%

一般电子原器件都不贵的，电容是这样的，容量越大，价钱越高，电解电容比普通的瓷片电容和独石电容稍贵一些，一个104的瓷片电容大约1－2角钱，电解电容100U的大约3块钱，这两个是最常用的，你要是有特殊要求的就比较贵一些，不知道你想用什么样的

我的回答你还满意吗~~

2、无极性可变电容；制作工艺：可旋转动片为陶瓷片表面镀金属薄膜，定片为镀有金属膜的陶瓷底；动片为同轴金属片，定片为有机薄膜片作介质；优点：容易生产，技术含量低。；缺点：体积大，容量小；用途：改变震荡及谐振频率电路。调频、调幅、发射/接收电路

3、无极性无感CBB电容；制作工艺：2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。；优点：无感，高频特性好，体积较小；缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。；用途：耦合/震荡，音响，模拟/数字电路，高频电源滤波/退耦

4、无极性CBB电容；制作工艺：2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。；优点：有感，高频特性好，体积较小；缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。；用途：耦合/震荡，模拟/数字电路，电源滤波/退耦

5、无极性瓷片电容；制作工艺：薄瓷片两面渡金属膜银而成。；优点：体积小，耐压高，价格低，频率高（有一种是高频电容）；缺点：易碎，容量低；用途：高频震荡、谐振、退耦、音响

6、无极性云母电容；制作工艺：云母片上镀两层金属薄膜；优点：容易生产，技术含量低。；缺点：体积大，容量小用途：震荡、谐振、退耦及要求不高的电路无极性独石电容体积比CBB更小，其他同CBB，有感；用途：模拟/数字电路信号旁路/滤波，音响

7、有极性电解电容；制作工艺：两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆后浸在电解液中。；优点：容量大。；缺点：高频特性不好。；用途：低频级间耦合、旁路、退耦、电源滤波、音响

8、钽电容；制作工艺：用金属钽作为正极，在电解质外喷上金属作为负极。；优点：稳定性好，容量大，高频特性好。；缺点：造价高。；用途：高精度电源滤波、信号级间耦合、高频电路、音响电路

9、聚酯（涤纶）电容；符号：CL；电容量：40p--4u；额定电压：63--630V；主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差；应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路

10、聚苯乙烯电容；符号：CB；电容量：10p--1u；额定电压：100V--30KV；主要特点：稳定，低损耗，体积较大；应用：对稳定性和损耗要求较高的电路

11、聚丙烯电容；符号：CBB；电容量：1000p--10u；额定电压：63--2000V；主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差；应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路

12、云母电容；符号：CY；电容量：10p--0。1u；额定电压：100V--7kV；主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小；应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路

13、高频瓷介电容；符号：CC；电容量：1--6800p；额定电压：63--500V；主要特点：高频损耗小，稳定性好；应用：高频电路

14、低频瓷介电容；符号：CT；电容量：10p--4。7u；额定电压：50V--100V；主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差；应用：要求不高的低频电路

15、玻璃釉电容；符号：CI；电容量：10p--0。1u；额定电压：63--400V；主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）；应用：脉冲、耦合、旁路等电路

16、铝电解电容；符号：CD；电容量：0。47--10000u；额定电压：6。3--450V；主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大；应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等

17、钽电解电容（CA）、铌电解电容（CN）；电容量：0。1--1000u；额定电压：6。3--125V；主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容；应用：在要求高的电路中代替铝电解电容

18、空气介质可变电容器 ；可变电容量：100--1500p；主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式 等；应用：电子仪器，广播电视设备等

19、薄膜介质可变电容器 ；可变电容量：15--550p；主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大；应用：通讯，广播接收机等

20、薄膜介质微调电容器 ；符号： 可变电容量：1--29p；主要特点：损耗较大，体积小；应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿

21、陶瓷介质微调电容器 ；符号： 可变电容量：0。3--22p；主要特点：损耗较小，体积较小；应用：精密调谐的高频振荡回路