单片机晶振可以接直插的瓷片电容吗

不能用104的，一般是用22pf或者用30pf的也可以，至于为什么不能用其他的电容那是因为涉及到51单片机内部结构，看看下面的文章估计你会有收获http://blog.csdn.net/lifengxun20121019/article/details/8224999

51单片机晶振电路的两个瓷片电容是20～33PF  。

51单片机最小系统：

1、时钟电路51 单片机上的时钟管脚：XTAL1（19 脚） ：芯片内部振荡电路输入端。XTAL2（18 脚） ：芯片内部振荡电路输出端。

2、复位电路在单片机系统中，复位电路是非常关键的，当程序跑飞（运行不正常）或死机（停止运行）时，就需要进行复位。MCS-5l 系列单片机的复位引脚RST（ 第9 管脚） 出现2个机器周期以上的高电平时，单片机就执行复位操作。如果RST 持续为高电平，单片机就处于循环复位状态。

3、EA/VPP（31 脚） 的功能和接法51 单片机的EA/VPP（31 脚） 是内部和外部程序存储器的选择管脚。当EA 保持高电平时，单片机访问内部程序存储器；当EA 保持低电平时，则不管是否有内部程序存储器，只访问外部存储器。

原理上讲直接将晶振接到单片机上，单片机就可以工作。但这样构成的振荡电路中会产生偕波(也就是不希望存在的其他频率的波),这个波对电路的影响不大,但会降低电路的时钟振荡器的稳定性. 为了电路的稳定性起见，建议在晶振的两引脚处接入两个瓷片电容接地来削减偕波对电路的稳定性的影响,所以晶振必须配有起振电容，但电容的具体大小没有什么 普遍意义上的计算公式，不同芯片的要求不同。

（1）：因为每一种晶振都有各自的特性，所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。

（2）：在许可范围内，C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增比较常用的为15p-30p之间。

晶振的作用不同，材料不同，型号不同，源于每一种晶振都有各自它们各自的特性，所以最佳按制造厂商所供应的数值选择外部元器件。 当然晶振的电容也是按照不同的晶振类型所制造的，这是理所当然的。下面是晶振的电容选择方法，一定要仔细看哦：

晶振电容选择的几大标准

（1）：在容许范围内，C1,C2值越低越好。

（2）C值偏大虽有利于振荡器的安稳，但将会增加起振时间。

（3）：应使C2值大于C1值，这么可使上电时，加快晶振起振。

晶振的起振原因分析

在石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的运用中，就需要留心负载电容的选择。因为不一样厂家出产的石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的特性和质量都存在较大差异。

选择晶振电容的注意事项

（1）在选用时，需要了解该类型振荡器的要害方针，例如等效电阻，（凯越翔厂家建议负载电容，如频率偏差等。

（2）但是在实习电路中，也能够通过示波器查询振荡波形来判别振荡器是不是作业在最佳情况。

|（3）当然在示波器查询振荡波形时，所查询的OSCO管脚(Oscillator output)，应选择100MHz带宽以上的示波器探头，这种探头的输入阻抗高，容抗小，对振荡波形相对影响小。

（4）由于探头上通常存在10～20pF的电容，所以观测时，恰当减小在OSCO管脚的电容能够取得更靠近实习的振荡波形。

（5）凯越翔建议：因为作业出色的振荡波形应当是一个美丽的正弦波，峰峰值应当大于电源电压的70%。若峰峰值小于70%，可恰当减小OSCI及OSCO管脚上的外接负载电容。反之，若峰峰值靠近电源电压且振荡波形发生畸变，则可恰当增加负载电容。 所以在选择晶振的最佳电容时，是可以参考的哦！！！

专业仪器检测专晶振（更技术的选择）

因为用示波器查看OSCI(Oscillator input)管脚，如果简略致使振荡器停振（原因是：有些的探头阻抗小不能够直接检验）所以晶振的电容能够用串电容的方法来进行检验。

取中心值的小窍门（凯越翔独家揭秘）

如常用的4MHz石英晶体谐振器，通常凯越翔厂家建议的外接负载电容为10～30pF支配。若取中心值15pF，则C1，C2各取30pF可得到其串联等效电容值15pF。凯越翔k字晶振考虑到还别的存在的电路板分布电容的影响。以及芯片管脚电容，晶体自身寄生电容等都会影响总电容值，故实习配备C1，C2时，可各取20～15pF支配。因此C1，C2运用瓷片电容为佳。

当然这只是一部分的电容选择要求和技巧，然而最佳的晶振选择要求和技巧，还是要根据不同的晶振型号，类型和不同的材料晶振而定，当然还是要看各自的客户的选择要求来定哦如果你对晶振的电容选择上还有什么疑虑的，不妨登入凯越翔官查询更加详细的资料哦。（本文来自凯越翔，k字晶振）

18引脚，19引脚分别接晶体两脚,然后晶体两脚分别接一个电容到GND，就可以动作了。

单片机（Microcontrollers）是一种集成电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计数器等功能（可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路）集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算机系统，在工业控制领域广泛应用。从上世纪80年代，由当时的4位、8位单片机，发展到现在的300M的高速单片机。

晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片），石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振[1]；而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。

C1与C1(加上元件引脚的输入电容)组成谐振电路的负载电容，C1,C1一般取22pF～30pF。

独石电容广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。

容量范围：10pF~10μF，单片机晶振负载电容可以用独石电容，

我使用的STAR-MA280  单片机开发板的晶振电容就是30pF独石电容。

通常情况下，有的单片机内部会集成有振荡电路（如RC）可以不外接晶振，但是精度较低，用在低速通信或信号处理工程中或许可行。而有的单片机系统振荡器 必须有外接晶振才能起振。而高端点的单片机内部集成时钟的（比如STM32 ARM），精度虽不如外部晶振，但也不差，应付常规通信没有问题。最后说一句，如果方便，最好接上外部晶振，加上内部时钟系统更可靠。

单片机晶振电路中接在晶振旁的两个电容叫负载电容，它的作用是负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。

晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片），石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振；而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。

扩展资料：

晶振在应用具体起到的作用，微控制器的时钟源可以分为两类：基于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；RC（电阻、电容）振荡器。一种是皮尔斯振荡器配置，适用于晶振和陶瓷谐振槽路。另一种为简单的分立RC振荡器。基于晶振与陶瓷谐振槽路的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。

RC振荡器能够快速启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差，会在标称输出频率的5%至50%范围内变化。但其性能受环境条件和电路元件选择的影响。需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。在使用时，陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感，但在过驱动时很容易产生频率漂移（甚至可能损坏）。

参考资料来源：百度百科-晶体振荡器

大家说的基本都对，我继续补充。提问人应该是个初学者。我猜提问人说的“晶振”不是我们理解的的严格意义的晶振。提问人的意思是能给单片机用的振荡源，但他只知道用晶振，所以有这样的说法。晶振的里面是个按要求切割的晶体，基本不可能做到单片机里。单片机内部带的振荡源都是RC振荡器，性能不能和晶振比，但也满足一般要求。传统的51，也就是初学常用的ATMEL的51，是不带内部RC振荡器的，其他牌子的高端51（或说是改进51）有些是有带的。还有，没有什么“成品51”的说法，不知道你要表达的是什么意思