瓷片电容器、自感线圈的电路符号。

高压瓷片电容，就是以陶瓷材料为介质的圆片形电容器

外壳是陶瓷的，用来绝缘

高压瓷片电容器一个主要的特点就是耐压高，电压一般大于1KV的电压

高压瓷片电容器常规有2KV、3KV、4KV电压

常用于高压场合

最高的可达30KV的电压

在瓷片电容器中一般DC50V以下叫低压，DC100V~500V为中高压，DC1000V~6000V和为高压，DC6000V以上为超高压

安规Y电容也是属于高压瓷片电容

瓷片电容有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好

高压瓷片电容器一般体积不大

另外，瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态

(这是它的弱点)而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态

高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰

在大功率、高压领域使用的高压瓷片电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点

近年来随着材料、电极和制造技术的进步，高压瓷片电容的发展有长足的进展，并取得广泛应用

高压瓷片电容已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一

一：潮湿对电参数恶化的影响。空气中温度过高，会使高压陶瓷电容的表面绝缘电阻下降，对于半密封结构电容器来说，水分会渗透到电容器的介质内部使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降。因此，高温，高湿环境对瓷片电容的损坏影响较大。

二：银离子的迁移。无机介质电容器多半采用银电极，半密封电容器在高温条件下工作，渗入电容器内部的水分子产生电解。产生氧化反应，银离子与氢氧根离子结合产生氢氧化银。由于电极反应，银离子迁移不仅发生在无机介质表面，还扩散到无机介质内部，引起漏电流增大，严重时会使两个银电极之间完全短路，导致高压陶瓷电容损坏或击穿。

三：有的高压陶瓷电容，在运用测试操作时，电容器投入时的电流过大，无任何无电压保护措施，也无串联电抗器，使电容器过热，绝缘降低或损坏，如果操作频繁，也会影响陶瓷电容损坏，甚至爆炸。

四：从单颗陶瓷电容分析，电容碰到了强大的电流，导致内部材料发热，散热不及时，造成热击穿损坏。

智旭电子高压陶瓷电容外观小巧，精莹剔透，粉涂均匀，还可以为客人需求订制观型尺寸。

容抗的大小跟通过的频率关系：

f＝1/(2×π×C×Xc)

根据公式可知，容抗越小，通过的频率也越低，反之则越高；如电视的天线(高频)放大器所用的电容量都是小于100P的。

此线圈的高度在四十厘米左右，具体高度和很多因素有关。

材料：（以下带“*”的为可选材料）

1.高压包一个，不要问如“用什么型号的”一类的话题，因为从理论上讲，任何型号的高压包都可以。

——高压包原则上要买彩电高压包，越大的电视机的高压包，理论上越好。

2.直径0.25mm漆包线200m。尽量用铜的，这么小的线圈，没必要用铝的……

——漆包线在修理电机的地方或电子市场可以买到，绕一个这样的初级，只需要买10元钱的漆包线就够了，一顿饭的钱，大家都承受得起。

3.直径2mm漆包线三米。三米应该差不多。

——同样，在修理电机的地方或者电子市场可以买到。

4.直径十二厘米金属球一个，这个可以在买防盗窗一类的东西的地方买到。而且并不贵，理论上，也就十块钱。

——金属球的强度高，表面光滑，所以用它来做TC的顶端。如果没有球，可以用个表面光滑的导电物体来代替，但是表面积必须和直径12厘米的球相同。

5.直径5厘米，长30厘米PVC管子一根，聚氯乙烯的更好，而有机玻璃是最理想的。

——卖管子的地方也许不会切30厘米卖给你，你也许只能买一根4米长的回来。但是，一根直径五厘米，长四米的管子，价格大约20元，不算贵。反正多买一些没有坏处，以后还可以做其它的东西嘛。

6.2N3055三极管一个。这个也就三块。

——2N3055是大功率NPN晶体管，由于年代较早，有些电子市场已经没有2N3055卖了。如果没有，可以用其它大功率NPN管代替。记住，必须买一个大大的散热片装上。

7.240Ω 5W，27Ω 1W电阻各一个。也许没有正好这么大的，稍微有一点差别也将就。

——如果没有240Ω电阻，可以用1kΩ 2W的电阻四个并联使用。而27Ω的，可以拿4个100Ω的并联代替。

8.一些厚几毫米的绝缘板，不能用木头，最好用塑料。

——有机玻璃是个不错的选择，如果没有有机玻璃，可以用其它类型的绝缘材料代替。

9.12V蓄电池一个。

——如果买不到，可以用12V电脑电源代替。

10.无极性电容若干。

——最好的选择是专用的谐振电容，但是那种电容价格十分高（30～40元）而且体积巨大，容量过大，所以用这种电容是不明智的。用电磁炉MKPH电容吧，这种电容比较适合做小到中型特斯拉线圈。如果没有MKPH电容，就用高压瓷片电容，尽管这种电容效果不怎么好。如果连高压瓷片电容都买不到，就……云母电容吧。切忌使用CBB电容。

11.胶一瓶，502啦，101啦啥的都可以。

——这个不是必须的，但是如果有的话会更好。

12.直径1mm漆包线数米。

——这一项，如果用多股细漆包线代替也不错。

*13.场效应管IRFP250两个。

——用来做ZVS，如果用ZVS，效果远比单管自激好，但是ZVS比单管自激稍复杂。

*14.12V 1W稳压二极管两个。

——用来做ZVS。

*15.10kΩ，470Ω 3W电阻各两个。

——用来做ZVS。

*16.FR107快恢复二极管两个。

——用来做ZVS。如果没有FR107，可以用UF4007或者RU2代替。理论上用肖特基二极管代替也可以，但是我没试过。

*17.模型电路板（俗称洞洞板）一张。

——用来搭建ZVS。

工具：

钳子，剪刀，美工刀，烙铁，锡丝，等等等等……

开始制作之前，先说一下，在制作过程中尽量不要改我列出的这些数据。

开始制作之前，先说一下，在制作过程中尽量不要改我列出的这些数据。

1.次级线圈的制作：

用0.25mm漆包线在管子上绕，线不能交叉；绕1000圈，尽量保证线和线之间没有空隙。有条件的，可

感应加热简介

电磁感应加热，或简称感应加热，是加热导体材料比如金属材料的一种方法。它主要用于金属热加工、热处理、焊接和熔化。

顾名思义，感应加热是利用电磁感应的方法使被加热的材料的内部产生电流，依靠这些涡流的能量达到加热目的。感应加热系统的基本组成包括感应线圈，交流电源和工件。根据加热对象不同，可以把线圈制作成不同的形状。线圈和电源相连，电源为线圈提供交变电流，流过线圈的交变电流产生一个通过工件的交变磁场，该磁场使工件产生涡流来加热。

感应加热原理

感应加热表面淬火是利用电磁感应原理，在工件表面层产生密度很高的感应电流，迅速加热至奥氏体状态，随后快速冷却得到马氏体组织的淬火方法，当感应圈中通过一定频率的交流电时，在其内外将产生与电流变化频率相同的交变磁场。金属工件放入感应圈内，在磁场作用下，工件内就会产生与感应圈频率相同而方向相反的感应电流。由于感应电流沿工件表面形成封闭回路，通常称为涡流。此涡流将电能变成热能，将工件的表面迅速加热。涡流主要分布于工件表面，工件内部几乎没有电流通过，这种现象称为表面效应或集肤效应。感应加热就是利用集肤效应，依靠电流热效应把工件表面迅速加热到淬火温度的。感应圈用紫铜管制做，内通冷却水。当工件表面在感应圈内加热到一定温度时，立即喷水冷却，使表面层获得马氏体组织。

感应电动势的瞬时值为：

式中：e——瞬时电势，V；Φ——零件上感应电流回路所包围面积的总磁通，Wb，其数值随感应器中的电流强度和零件材料的磁导率的增加而增大，并与零件和感应器之问的间隙有关。

为磁通变化率，其绝对值等于感应电势。电流频率越高，磁通变化率越大，使感应电势P相应也就越大。式中的负号表示感应电势的方向与的变化方向相反。

零件中感应出来的涡流的方向，在每一瞬时和感应器中的电流方向相反，涡流强度取决于感应电势及零件内涡流回路的电抗，可表示为：

式中，I——涡流电流强度，A；Z——自感电抗，Ω；R——零件电阻，Ω；X——阻抗，Ω。

由于Z值很小，所以I值很大。

零件加热的热量为：

式中Q——热能，J；t——加热时间，s。

对铁磁材料（如钢铁），涡流加热产生的热效应可使零件温度迅速提高。钢铁零件是硬磁材料，它具有很大的剩磁，在交变磁场中，零件的磁极方向随感应器磁场方向的改变而改变。在交变磁场的作用下，磁分子因磁场方向的迅速改变将发生激烈的摩擦发热，因而也对零件加热起一定作用，这就是磁滞热效应。这部分热量比涡流加热的热效应小得多。钢铁零件磁滞热效应只有在磁性转变点A2（768℃）以下存在，在A2以上，钢铁零件失去磁性，因此，对钢铁零件而言，在A2点以下，加热速度比在A2点以上时快。

感应加热具体应用

感应加热设备

感应加热设备是产生特定频率感应电流，进行感应加热及表面淬火处理的设备。

感应加热表面淬火

将工件放在用空心铜管绕成的感应器内，通入中频或高频交流电后，在工件表面形成同频率的的感应电流，将零件表面迅速加热（几秒钟内即可升温800～1000度，心部仍接近室温）后立即喷水冷却（或浸油淬火），使工件表面层淬硬。

与普通加热淬火比较感应加热表面淬火具有以下优点：

1、加热速度极快，可扩大A体转变温度范围，缩短转变时间。

2、淬火后工件表层可得到极细的隐晶马氏体，硬度稍高（2～3HRC）。脆性较低及较高疲劳强度。

3、经该工艺处理的工件不易氧化脱碳，甚至有些工件处理后可直接装配使用。

4、淬硬层深，易于控制操作，易于实现机械化，自动化。

感应加热（高频电炉）制作教程

成本估算：

紫铜管紫铜带：210元

EE85加厚磁芯2个：60元

高频谐振电容3个：135元

胶木板：60元

水泵及PU管：52元

PLL板：30元

GDT板：20元

电源板：50元

MOSFET：20元

2KW调压器：280元

散热板：80元

共计：997元

总体架构：

串联谐振2.5KW 锁相环追频ZVS，MOSFET全桥逆变；

磁芯变压器两档阻抗变换，水冷散热，市电自耦调压调功，母线过流保护。

先预览一下效果，如下图：

加热金封管3DD15

加热304不锈钢管

加热小金属球

加热铁质垫圈

在开始制作之前，有必要明确一些基础性原理及概念，这样才不致于一头雾水。

1、加热机制（扫盲用，高手跳过）

1.1涡流，只要是金属物体处于交变磁场中，都会产生涡流，强大的高密度涡流能迅速使工件升温。这个机制在所有电阻率不为无穷大的导体中均存在。

1.2感应环流，工件相当于一个短路的1匝线圈，与感应线圈构成一个空心变压器，由于电流比等于匝比的反比，工件上的电流是感应线圈中电流的N（匝数）倍，强大的感应短路电流使工件迅速升温。这个机制在任何导体中均存在，恒定磁通密度情况下，工件与磁场矢量正交的面积越大，工件上感生的电流越大，效率越高。由此可看出，大磁通切割面积的工件比小面积的工件更容易获得高温。

1.3磁畴摩擦（在铁磁体内存在着无数个线度约为10-4m的原本已经磁化了的小区域，这些小区域叫磁畴），铁磁性物质的磁畴，在交变磁场的磁化与逆磁环作用下，剧烈摩擦，产生高温。这个机制在铁磁性物质中占主导。

由此可看出，不同材料的工件，因为加热的机制不同，造成的加热效果也不一样。其中铁磁物质三中机制都占，加热效果最好。铁磁质加热到居里点以上时，转为顺磁性，磁畴机制减退甚至消失。这时只能靠剩余两个机制继续加热。

当工件越过居里点后，磁感应现象减弱，线圈等效阻抗大幅下降，致使谐振回路电流增大。越过居里点后，线圈电感量也跟着下降。LC回路的固有谐振频率会发生变化。致使固定激励方式的加热器失谐而造成设备损坏或效率大减。

2、为什么要采用谐振？应采用何种谐振

2.1先回答第一个问题。我曾经以为只要往感应线圈中通入足够强的电流，就成一台感应加热设备了。也对此做了一个实验，见下图。

实验中确实有加热效果，但是远远没有达到电源的输出功率应有的效果。这是为什么呢，我们来分析一下，显然，对于固定的工件，加热效果与逆变器实际输出功率成正比。对于感应线圈，基本呈现纯感性，也就是其间的电流变化永远落后于两端电压的变化，也就是说电压达到峰值的时候，电流还未达到峰值，功率因数很低。我们知道，功率等于电压波形与电流波形的重叠面积，而在电感中，电流与电压波形是错开一个角度的，这时的重叠面积很小，即便其中通过了巨大的电流，也是做无用功。这是如果单纯的计算P=UI，得到的只是无功功率。

而对于电容，正好相反，其间的电流永远超前于电压变化。如果将电容与电感构成串联或并联谐振，一个超前，一个滞后，谐振时正好抵消掉。因此电容在这里也叫功率补偿电容。这时从激励源来看，相当于向一个纯阻性负载供电，电流波形与电压波形完全重合，输出最大的有功功率。这就是为什么要采取串（并）补偿电容构成谐振的主要原因。

2.2第二个问题，LC谐振有串联谐振和并联谐振，该采用什么结构呢。

说得直白一点，并联谐振回路，谐振电压等于激励源电压，而槽路（TANK）中的电流等于激励电流的Q倍。串联谐振回路的槽路电流等于激励源电流，而L，C两端的电压等于激励源电压的Q倍，各有千秋。

从电路结构来看：

对于恒压源激励（半桥，全桥），应该采用串联谐振回路，因为供电电压恒定，电流越大，输出功率也就越大，对于串联谐振电路，在谐振点时整个回路阻抗最小，谐振电流也达到最大值，输出最大功率。串联谐振时，空载的回路Q值最高，L，C两端电压较高，槽路电流白白浪费在回路电阻上，发热巨大。

对于恒流源激励（如单管电路），应采用并联谐振，自由谐振时LC端电压很高，因此能获得很大功率。并联谐振有个很重要的优点，就是空载时回路电流最小，发热功率也很小。值得一提的是，从实验效果来看，同样的谐振电容和加热线圈，同样的驱动功率，并联谐振适合加热体积较大的工件，串联谐振适合加热体积小的工件。

3、制作过程

明白了以上原理后，可以着手打造我们的感应加热设备了。我们制作的这个设备主要由调压整流电源、锁相环、死区时间发生器、GDT电路、MOS桥、阻抗变换变压器、LC槽路以及散热系统几大部分组成，见下图。

我们再来对构成系统的原理图进行一些分析，如下：

槽路部分：

从上图可以看出，C1、C2、C3、L1以及T1的次级（左侧）共同构成了一个串联谐振回路，因为变压器次级存在漏感，回路的走线也存在分布电感，所以实际谐振频率要比单纯用C1-C3容量与L1电感量计算的谐振频率略低。图中L1实际上为1uH，我将漏感分布电感等加在里面所以为1.3uH，如图参数谐振频率为56.5KHz。

从逆变桥输出的高频方波激励信号从J2-1输入，通过隔直电容C4及单刀双掷开关S1后进入T1的初级，然后流经1:100电流互感器后从J2-2回流进逆变桥。在这里，C4单纯作为隔直电容，不参与谐振，因此应选择容量足够大的无感无极性电容，这里选用CDE无感吸收电容1.7uF 400V五只并联以降低发热。

S1的作用为阻抗变换比切换，当开关打到上面触点时，变压器的匝比为35:0.75，折合阻抗变比为2178:1；当开关打到下面触点时，变压器匝比为24:0.75，折合阻抗变比为1024:1。为何要设置这个阻抗变比切换，主要基于以下原因。（1）铁磁性工件的尺寸决定了整个串联谐振回路的等效电阻，尺寸越大，等效电阻越大。（2）回路空载和带载时等效电阻差别巨大，如果空载时变比过低，将造成逆变桥瞬间烧毁。

T2是T1初级工作电流的取样互感器，因为匝比为1:100，且负载电阻为100Ω，所以当电阻上电压为1V时对应T1初级电流为1A。该互感器应有足够小的漏感且易于制作，宜采用铁氧体磁罐制作，如无磁罐也可用磁环代替。在调试电路时，可通过示波器检测J3两端电压的波形形状和幅度而了解电路的工作状态，频率，电流等参数，亦可作为过流保护的取样点。

J1端子输出谐振电容两端的电压信号，当电路谐振时，电容电压与T1次级电压存在90°相位差，将这个信号送入后续的PLL锁相环，就可以自动调节时激励频率始终等于谐振频率。且相位恒定。（后文详述）

L1，T1线圈均采用紫铜管制作，数据见上图，工作中，线圈发热严重，必须加入水冷措施以保证长时间安全工作。为保证良好的传输特性以及防止磁饱和，T1采用两个EE85磁芯叠合使用，在绕制线圈时需先用木板做一个比磁芯舌截面稍微大点的模子，在上面绕制好后脱模。如下图：

PLL锁相环部分：

上图为PLL部分，是整个电路的核心。关于CD4046芯片的结构及工作原理等，我不在这里详述，请自行查阅书籍或网络。

以U1五端单片开关电源芯片LM2576-adj为核心的斩波稳压开关电路为整个PLL板提供稳定的，功率强劲的电源。图中参数可以提供15V2A的稳定电压。因为采用15V的VDD电源，芯片只能采用CD40xx系列的CMOS器件，74系列的不能在此电压下工作。

CD4046锁相环芯片的内部VCO振荡信号从4脚输出，一方面送到U2为核心的死区时间发生器，用以驱动后级电路。另一方面回馈到CD4046的鉴相器输入B端口3脚。片内VCO的频率范围由R16、R16、W1、C13的值共同决定，如图参数时，随着VCO控制电压0-15V变化，振荡频率在20KHz-80KHz之间变化。

从谐振槽路Vcap接口J1送进来的电压信号从J4接口输入PLL板，经过R14，D2，D3构成的钳位电路后，送入CD4046的鉴相器输入A端口14脚。这里要注意的是，Vcap电压的相位要倒相输入，才能形成负反馈。D2，D3宜采用低结电容的检波管或开关管如1N4148、1N60之类。

C7、C12为CD4046的电源退耦，旁路掉电源中的高频分量，使其稳定工作。

现在说说工作流程，我们选用的是CD4046内的鉴相器1（XOR异或门）。对于鉴相器1，当两个输人端信号Ui、Uo的电平状态相异时（即一个高电平，一个为低电平），输出端信号UΨ为高电平；反之，Ui、Uo电平状态相同时（即两个均为高，或均为低电平），UΨ输出为低电平。当Ui、Uo的相位差Δφ在0°-180°范围内变化时，UΨ的脉冲宽度m亦随之改变，即占空比亦在改变。从比较器Ⅰ的输入和输出信号的波形（如图4所示）可知，其输出信号的频率等于输入信号频率的两倍，并且与两个输入信号之间的中心频率保持90°相移。从图中还可知，fout不一定是对称波形。对相位比较器Ⅰ，它要求Ui、Uo的占空比均为50％（即方波），这样才能使锁定范围为最大。如下图。

由上图可看出，当14脚与3脚之间的相位差发生变化时，2脚输出的脉宽也跟着变化，2脚的PWM信号经过U4为核心的有源低通滤波器后得到一个较为平滑的直流电平，将这个直流电平做为VCO的控制电压，就能形成负反馈，将VCO的输出信号与14脚的输入信号锁定为相同频率，固定相位差。

关于死区发生器，本电路中，以U2 CD4001四2输入端与非门和外围R8，R8，C10，C11共同组成，利用了RC充放电的延迟时间，将实时信号与延迟后的信号做与运算，得到一个合适的死区。死区时间大小由R8，R8，C10，C11共同决定。如图参数，为1.6uS左右。在实际设计安装的时候，C10或C11应使用68pF的瓷片电容与5-45pF的可调电容并联，以方便调整两组驱动波形的死区对称性。

下图清晰地展示了死区的效果。

关于图腾输出，从死区时间发生器输出的电平信号，仅有微弱的驱动能力，我们必须将其输出功率放大到一定程度才能有效地推动后续的GDT（门极驱动变压器）部分，Q1-Q8构成了双极性射极跟随器，俗称图腾柱，将较高的输入阻抗变换为极低的输出阻抗，适合驱动功率负载。R10.R11为上拉电阻，增强CD4001输出的“1”电平的强度。有人会问设计两级图腾是否多余，我开始也这么认为，试验时单用一级TIP41，TIP42为图腾输出，测试后发现高电平平顶斜降带载后比较严重，分析为此型号晶体管的hFE过低引起，增加前级8050/8550推动后，平顶斜降消失。

GDT门极驱动电路：

上图为MOSFET的门极驱动电路，采用GDT驱动的好处就是即便驱动级出问题，也不可能出现共态导通激励电平。

留适当的死区时间，这个电路死区大到1.6uS。而且MOSFET开关迅速，没有IGBT的拖尾，很难炸管。而且MOS的米勒效应小很多。

电路处于ZVS状态，管子2KW下工作基本不发热，热击穿不复存在。

从PLL板图腾柱输出的两路倒相驱动信号，从GDT板的J1，J4接口输入，经过C1-C4隔直后送入脉冲隔离变压器T1-T4。R5，R6的存在，降低了隔直电容与变压器初级的振荡Q值，起到减少过冲和振铃的作用。从脉冲变压器输出的±15V的浮地脉冲，通过R1-R4限流缓冲（延长对Cgs的充电时间，减缓开通斜率）后，齐纳二极管ZD1-ZD8对脉冲进行双向钳位，最后经由J2，J3，J5，J6端子输出到四个MOS管的GS极。这里因为关断期间为-15V电压，即便有少量的电平抖动也不会使MOS管异常开通，造成共态导通。注意，J2，J3用以驱动一个对角的MOS管，J5，J6用于驱动另一个对角的mos管。

为了有效利用之前PLL板图腾输出的功率以及减小驱动板高度，这里采用4只脉冲变压器分别对4支管子进行驱动。脉冲变压器T1-T4均采用EE19磁芯，不开气隙，初级次级均用0.33mm漆包线绕制30T，为提高绕组间耐压起见，并未采用双线并绕。而是先绕初级，用耐高温胶带3层绝缘后再绕次级，采用密绕方式，注意图中+，-号表示的同名端。C1-C4均采用CBB无极性电容。其余按电路参数。

电源部分：

上图为母线电源部分，市电电压经过自耦调压器后从J2输入，经过B1全波整流后送入C1-C4进行滤波。为了在MOS桥开关期间，保持母线电压恒定（恒压源），故没有加入滤波电感。C1，C2为MKP电容，主要作用为全桥钳位过程期间的逆向突波吸收。整流滤波后的脉动直流从J1输出。

全桥部分：

上图为MOSFET桥电路，结构比较简单，不再赘述。强调一下，各个MOS管的GS极到GDT板之间的引线，尽可能一样长，但应小于10cm。必须采用双绞线。MOS管的选取应遵循以下要求：开关时间小于100nS、耐压高于500V、内部自带阻尼二极管、电流大于20A、耗散功率大于150W。

4、散热系统

槽路部分的阻抗变换变压器次级以及感应线圈部分，在满功率输出时，流经的电流达到500A之巨，如果没有强有力的冷却措施，将在短时间内过热烧毁。

该系统宜采用水冷措施，利用铜管本身作为水流通路。泵采用隔膜泵，一是能自吸，二是压力高。电路采用的是国产普兰迪隔膜泵，输出压力达到0.6MPa，轻松在3mm内径的铜管中实现大流量水冷。

5、组装

按下图组装，注意GDT部分，输出端口的1脚接G，2脚接S，双绞线长度小于10cm。

6、调试

该电路的调试比较简单，主要分以下几个步骤进行。

1. PLL板整体功能检测。电路组装好后，先断开高压电源，将PLL板JP1跳线的2，3脚短路，使VCO输出固定频率的方波。然后用示波器分别检测四个MOS管的GS电压，看是否满足相位和幅度要求。对角的波形同相，同一臂的波形反相。幅度为±15V。如果此步骤无问题，进行下一步。如果波形相位异常，检测双绞线连接是否有误。

2. 死区时间对称性调整。用示波器监测同一臂的两个MOS的GS电压，调节PLL板C10或C11并联的可调电容，使两个MOS的GS电压的高电平宽度基本一致即可。死区时间差异过大的话，容易造成在振荡的前几个周期内，就造成磁芯的累计偏磁而发生饱和炸管，隔直电容能减轻这一情况。

3. VCO中心频率调整。PLL环路中，VCO的中心频率在谐振频率附近时，能获得最大的跟踪捕捉范围，因此有必要进行一个调整。槽路部分S1切换到上方触点，PLL板JP1跳线的2，3脚短路，使VCO控制电压处于0.5VCC，W2置于中点。通过自耦调压器将高压输入调节在30VAC。用万用表交流电流档监测高压输入电流，同时用示波器监测槽路部分J3接口电压，缓慢调节PLL板的W1，使J3电压为标准正弦波。此时，电流表的示数也为最大值。这时谐振频率与VCO中心频率基本相等。

谐振时的波形如下图，电流波形标准正弦波，与驱动波形滞后200nS左右。

4. PLL锁定调整。将PLL板JP1跳线的1，2脚短路，使VCO的电压控制权转交给鉴相滤波网络。保持高压输入为30VAC，用示波器监测槽路部分J3接口电压波形形状和频率。此时用改锥在±一圈范围内调整W1，若示波器波形频率保持不变，形状仍然为良好的正弦波。则表示电路已近稳定入锁，如果无法锁定，交换槽路部分J1的接线再重复上述步骤。当看到电路锁定后，在加热线圈中放入螺丝刀杆，这时因为有较大的等效负载阻抗，波形幅度下降，但仍然保持良好的正弦波。如果此时失锁，可微调W1保持锁定。

5. 电流滞后角调整。电路锁定后，用示波器同时监测槽路部分J3接口电压以及PLL板GDT2或GDT1接口电压，缓慢调节W2，使电流波形（正弦波）稍微落后于驱动电压波形，此时全桥负载呈弱感性，并进入ZVS状态。

6. 工件加热测试，上述步骤均成功后，即可开始加热工件。先放入工件，用万用表电流档监测高压电流。缓慢提升自耦调压器输出电压，可以看到工件开始发热，应保证220VAC高压下，电流小于15A。这时功率达到2500W。当加热体积较大的工件时，因为等效阻抗大，须将槽路部分S1切换至下方触点。

至此，整个感应加热电路调试完毕。开始感受高温体验吧。

后面一位代表倍率，后面的0的个数

单位为P法，

如103

就是10,000PF

0.01微法

104就是100,000PF

0.1微法

105就是1微法

1、瓷片电容是一种用陶瓷材料作为介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。

2、槽路电容(调谐电容),连接于谐振电路或振荡电路线圈两端的电容。

当测量中发现万用表的指针无法达到无穷大的位置时，指针所指的阻值就是该瓷片电容器的漏电电阻

指针距离阻值无穷大的位置越远，说明瓷片电容器漏电越严重

有的电容器在测其漏电电阻时，指针退回无穷大的位置，然后又慢慢的向顺时针方向摆动，摆动的越多说明陶瓷电容的漏电流越严重

瓷片电容的断路测量

瓷片电容的容量范围很宽，用万用表判断电容器的断路情况时，首先要看电容量的大小

对于0.019UF以下的小容量电容器，用万用表不能准确判断其是否断路，只能用其他仪表进行鉴别

对于0.01UF以上的瓷片电容，用万用表测量时，必须根据瓷片电容容量大小，选择合适的量程进行测量，才能正确的给以判断

如测量300UF以上的陶瓷电容，可以选R*10档或者R*1档；如要测10~300UF陶瓷电容时可选用R*100档；如要测0.4710UF的电容可选用R*1K档

按照上述方法选好量程后，便可将万用表的两表笔分别接陶瓷电容的两引脚

测量时，如指针不动，可将两表笔对调后再测，如指针不动，说明瓷片电容断路

用万用表的欧姆档测量瓷片电容的短路

用万用表的两表笔分别接电容器的两引脚，如果指针所指示的阻值很小或者接近为零，而且指针不再退回无穷大的位置，说明瓷片电容已经被击穿短路

需要注意的是在测量容量较大的电容器时，要根据电容量的大小，依照上述介绍的量程选择方法来选择适合的量程，否则可能会把瓷片电容的充电误认为击穿

选择瓷片电容时，产品质量好坏直接关系我们的生活品质及生活安全

请选择原厂正品出产，品质有保证并可安全使用

电容的大小与两电极正对面积成正比，与两电极间距离成反比。也就是说面积越大距离越近电容越大。

上面两个电容，一个是小面积近距离，一个是大面积远距离，电容大小能够相等。

关于价格当然大的材料多就贵，不过也不全是。

首先电容工作时两极板间有电压，相同电压下极板距离近电压强度就高，电容容易被击穿，失去作用。因此104K的那个显然比前者更安全。

不过就作用来说两者一样，差别在安全性上。

所以选那个就看自己需要了。