直拉单晶断两天愣线因为什么原因

1、材料不纯。（包括硅料、气体、真空度、坩埚、装料等等）2、温度、转速、提升速度等是否控制得当。单晶硅片：硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。

单晶硅在生产制造的过程中，放肩的意思就是让单晶硅横向生长到预定要求的尺寸，并且在生长过程中保证单晶硅的晶线完整。保证单晶硅晶线完整的最关键因素是温度和拉晶的速度。

在放肩的过程中，温度是持续下降的，而且变化非常大。对温控炉的控制精度要求非常高。

要保证不断，就要保证在温度下降的过程中，不断的调整拉晶的速度。是单晶线的生长速率维持恒定。这是保证不断线的诀窍。

所以单晶硅放肩断线的原因是拉速和温度下降速率不匹配。

肩后200以内可考虑拉细颈放肩收肩的操作问题，中下部坏可考虑热场梯度的问题，棱不同时断百分百的杂质点，棱同时断，熔体内存在高熔点杂质微粒。几乎所有断棱都和杂质有关，因为单晶的生长力是很强的，除非有外来异向晶核的侵入晶体生长前沿和晶体内产生了较大热内应力（超出晶体弹性形变的范畴，产生范性形变）才会破坏单晶的无位错生长。生长棱线被破坏的形态和异向晶核所带有的波坏能量不同（杂质成分、几何尺寸、质量大小、在生长前沿的位置、侵入的瞬间）而不同（当然也包括晶体内应力的大小）。讲个问题过程较复杂考虑因素较多，但在实际中苏说也简单，尽量选用好的硅原料，不用或少用埚底料，选用优质涂钡坩埚，原料化腐清洗处理的好，炉子排气排的好，工艺操作做的细，断棱现象肯定会大大降低。大多数厂家用的热场基本不存在多大的问题，因为都是互相套搬的，根据使用情况稍加调整即可

原因很多 我大概说一些可能存在的因素；

一）关于设备 炉体密封性、炉体是否有漏缝、漏水等现象

二）关于热场 热场设计是否合理，尤其是导流筒你需要检查，是否起到了保温的作用；另外检查下加热器的电阻率，是否有老化；还有碳毡是否硬化；

三）关于工艺，这里众多环节因素，控制好温度和温补，保持稳定的生长温度（固液相熔）是至关重要的；

四）关于硅料、装料时是否污染硅料或炉体是否清理干净；

......等等因素，欢迎探讨，谢谢；QQ 277424089

导致晶棒扭曲的原因有这么几点:1、拉速过快，适当降低等径拉速。2、温较没有跟上，把温较设置稍微设高点。3、有可能晶转锅转同向。你还可以把热场检查下，看是否有保温不好的地方，把毯毡检查下，有否老化现象。已经扭曲的时候放到手动，升温的同时进一步提拉速，让晶棒收小一点变圆后再重新投自动。

我只能描述以下缺陷：

实际晶体的空间点阵和理想的空间点阵不同，它不完全有规则周期排列，而是点阵在排列上有这样或那样不规则性，存在着点阵畸变，偏离空间点阵。那些偏离点阵的结构或地区通称晶体缺陷。

根据缺陷相对晶体尺寸或影响范围大小，可分为以下几类。

1、点缺陷

点缺陷特征是三个方向的尺寸很小，只有几个原子间距，如各种溶质原子引起的周围畸变区；空位，间隙原子以及这几类点担风险的复合体。固溶体中大小(a)和(b)溶质原子引起的点阵畸变示意图(c)图表示原子跑到阵间隙中，这样产生的空位称为弗兰克（Фpehkelb）空位，(d)图表示原子跑掉晶体表面去，这样产生的空位称肖脱基（Schottky）空位。

2、线缺陷

线缺陷特征是缺陷在两个方向上尺寸很小（与点缺陷相似），第三个方向上的尺寸很大，可以贯穿整个晶体，属这一类缺陷主要是位错。位错有三种基本类型：刃型位错、螺型位错、混合位错。

3、面缺陷

面缺陷的特征是一个方向上尺寸很小（相同点缺陷），在其它两个方向上的尺寸很大，晶体的外表面及各种内界面—一般晶界、孪晶界、亚晶界、相晶界以及层错等属于这一类。

4、体缺陷

体缺陷是三堆缺陷，在三个方向上尺寸部较大，不是很大，例如晶体孔晶、漩涡条纹、杂质条纹，包裹体，慢沙（由包裹体组成的层状分子）。

在拉制单晶硅因为生长环境：如温度场、机械传动、杂质浓度等因素都会造成硅片的质量缺陷，具体如何去避免那只能靠相关的经验啦.