光伏组件电池P型,和N型有什么区别?哪个好?
P型和N型都可以做电池片。
在p型半导体材料上扩散磷元素,形成n+/p型结构的太阳电池即为P型硅片;
在N型半导体材料上注入硼元素,形成p+/n型结构的太阳电池即为n型硅片;
目前光伏行业主流产品是P型硅片,P型硅片制作工艺简单,成本较低,N型硅片通常少子寿命较大,电池效率可以做得更高,但是工艺更加复杂。N型硅片掺磷元素,磷与硅相溶性差,拉棒时磷分布不均,P型硅片掺硼元素,硼与硅分凝系数相当,分散均匀度容易控制。
1、国内主流产品是P型单晶硅做太阳能电池,而国外三洋,sunpower等企业采用N型单晶来做电池;
2、P型和N型都可以做电池片,只是P型晶体硅做PN结的时候用的是磷扩散工艺,而N型晶体硅做电池片的时候用的是B离子注入工艺;、
3、P型硅片电池工艺简单,成本较低,N型硅片通常少子寿命较大,电池效率可以做得更高,但是工艺更加复杂。主要是因为硅片中的间隙Cu,Au和硼氧对等杂质对电子的俘获能力远远大于对空穴俘获能力,导致P型硅片的少子(电子)的寿命要比n型硅片的少子(空穴)寿命短得多。
在p型半导体材料上扩散磷元素,形成n+/p型结构的太阳电池即为P型硅片;
在N型半导体材料上注入硼元素,形成p+/n型结构的太阳电池即为n型硅片;
目前光伏行业主流产品是P型硅片,P型硅片制作工艺简单,成本较低,N型硅片通常少子寿命较大,电池效率可以做得更高,但是工艺更加复杂。N型硅片掺磷元素,磷与硅相溶性差,拉棒时磷分布不均,P型硅片掺硼元素,硼与硅分凝系数相当,分散均匀度容易控制。
p型和n型的单晶硅片的区别如下:
N型是电子导电,P型是空穴导电。
单晶硅中掺磷是N型,掺磷越多则自由电子越多,导电能力越强,电阻率就越低
单晶硅中掺硼为P型,掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多,导电能力越强,电阻率就越低。
1.PN结的形成:
硅是一种半导体材料,具有四个价电子,当把具有5个价电子的元素作为杂质掺入硅中,就形成了N型半导体,掺入的杂质比硅多一个价电子,这个电子在硅中可以起到传输电流的作用这种杂质被称为施主杂质,由于电子数量众多,称为多数载流子。例如磷或砷。当把具有3个价电子的元素作为杂质掺入硅中,就形成了P型半导体,这种杂质被称为受主杂质,例如镓取代晶体结构中的硅或锗原子就有一个键上缺少一个电子。把缺电子的这个位置叫空穴。相邻的电子会去填充这个空穴而在别处留下新空穴,相邻电子又去填补新空穴,如此进行下去。这样,电子的运动也就相当于空穴的自由运动。而整体保持电中性。
2 PN结受光照产生光伏效应
光是由不同能量的光子组成,当光照射到PN结的表面时,波长短能量高的光子在P-N结的鼎城产生电子—空穴对,长波低能的光子在P区产生电子—空穴对。如果产生的电子—空穴对有足够长的寿命,扩散到空间电荷区附近被内建电铲分离。由于电学中的异性相吸的原理P区中的光生平衡少子—电子进入N区,N区中的光生非平衡子少子—空穴进入P区。如果太阳能电池的前后电极开路,被内建电场分离的光生电子和光生空穴分别在空间电荷区的两侧积累,形成光电场。这个电场同P—N结原有的内建电场方向相反。光生电场破获了P—N结的平衡,产生光生电压,这就是光变电的光伏效应。
3. P-N结在太阳能电池中的应用
用半导体材料的P/N结构成的太阳能电池是以P型一侧为正极,N型一侧为负极。当太阳光照射P/N结时,P型区的电子吸收光子能量越过接触电势到达N型区形成光电势。把负载与正、负极相连结,电子就通过负载又流到P型区,对负载输出电能。只要有光照,太阳能电池就能输出电能。
半导体材料有多种,以P/N结构成的太阳能电池也可以有多种。目前广泛应用的是单晶硅为基体材料的太阳能电池。在一定的光强照射下开路电压是0.5到0.6伏。它的光电转换效率从开始(1954年)的10%以下到七十年代提高到15%,现已达到20%。提高效率的途径是增强对阳光的吸收和改进P/N结的制备技术。太阳能电池可以象其它化学电池一样进行串、并联组合以满足大功率应用。
这是我论文的一部分 希望对您有所帮助
太阳能电池片也是这样,当有阳光照射发电时,N型侧向外电路流出电子,所以,N区一侧的电极是负极,P区一侧的电极是正极。
下面的参考资料中有图示(甚至告诉你怎么制作太阳能电池:)。