光伏发电低压并网有线损吗

线损计算公式适用所有导线负荷功率（包括发、供、用电）的计算。线损与负荷电流的平方成正比，与导线的长度成正比，与导线的截面成反比。

设计应考虑：1，低压上网越近越好不宜超过200m；2，末端压降控制在2-5%内；3，有功损失在5-11%为宜。

目前，我国光伏产业已进入规模化发展阶段，越来越多的光伏电站进入长达25年的运营期。运营期间发电水平是影响电站经济效益的关键因素，因此如何保障光伏电站高效发电成为运营商面临的首要问题。而解决该问题前，首先需进行光伏电站设备损耗分析，明白电站损耗发生在哪里，进而明确通过何种手段，将电站的损耗控制在合理的范围之内。方法：改用功耗参数更优秀的磁心材料,比如使用TDK的PC50材料替代PC40材料降低磁通密度,但会增加线圈匝数而导致铜损增大,慎用改变电路参数,比如降低开关频率,但会同时增加磁通密度,慎用,必要时配合绕组匝数调整合理热设计,利用磁心材料温度与损耗曲线中的谷值。选用高效系统部件，如组件、逆变器、变压器等；合理设计线缆长度，降低线损；合理设计倾斜角、方位角等；合理进行运维、清洗。

一、禁带亮度效率损失

VOC随Eg的增大而增大，但另一方面，JSC随Eg的增大而减小。结果是可期望在某一个确定的Eg随处出现太阳电池效率的峰值。

二、温度引起的效率损失

随温度的增加，效率η下降。I-SC对温度T很敏感，温度还对VOC起主要作用。对于Si，温度每增加1°C，VOC下降室温值的0.4%，h也因而降低约同样的百分数。

例如，一个硅电池在20°C时的效率为20%，当温度升到120°C时，效率仅为12％。又如GaAs电池，温度每升高1°C，VOC降低1.7mv 或降低0.2%。

三、光强对效率的影响

将太阳光聚焦于太阳电池，可使一个小小的太阳电池产生出大量的电能。设想光强被浓缩了X倍，单位电池面积的输入功率和JSC都将增加X倍，同时VOC也随着增加(kT/q)lnX倍。因而输出功率的增加将大大超过X倍，而且聚光的结果也使转换效率提高了。

四、金属栅和光反射引起的效率损失

在前表面上的金属栅线不能透过阳光，引起效率降低。为了使ISC最大，金属栅占有的面积应最小。为了使RS小，一般是使金属栅做成又密又细的形状。因为有太阳光反射的存在，不是全部光线都能进入Si中。裸Si表面的反射率约为40%。使用减反射膜可降低反射率。对于垂直地投射到电池上的单波长的光，用一种厚为1/4波长、折射率等于（n为Si的折射率）的涂层能使反射率降为零。对太阳光，采用多层涂层能得到更好的效果。