外延生长为什么是单晶。
外延生长薄膜时需要用单晶材料作为衬底。
常用的比如说硅单晶。单晶晶格常数比较大，所以外延生长氧化物薄膜一般用钛酸锶单晶。生长石墨烯可以用铜单晶。
外延生长薄膜原理是：薄膜的某个结晶取向的晶格常数和单晶衬底的晶格常数相匹配，这样衬底就有诱导薄膜定向结晶的作用。但是薄膜不能生长的太厚，太厚了就没有诱导作用了。具体某种材料能不能进行外延生长、需要什么材料当沉底，请自行查阅文献吧。
单晶薄膜和多晶薄膜的区别：一般在两种情况下需要生长单晶薄膜。1、只有特定取向的薄膜才有最佳的性能。这是因为一般材料的单晶的性能都是各向异性的。2、晶界对材料的某个性能影响非常大，为了消除晶界影响把薄膜做成单晶。
总结起来就是单晶的性能比多晶好很多才有必要做单晶薄膜。也有其他因素，比如你想发好文章就做了单晶的薄膜。
有机物单晶培养为什么一般不选择盐型
单晶培养的量一般都是选择10-25mg之间，所以你的量没有问题；有四条注意事项：1、结晶容器的选择（敞口烧杯，既不能用
从未使用过的新烧杯，也不能用很旧的烧杯。可能原因为，烧杯太新，不利于晶核的形成，
而太旧则形成晶核的部位太多，不利于单晶的生长。） 2、溶剂的选择（合适的溶剂将物质
溶解，溶解性不能太好也不能太差且具有一定的挥发性，不能挥发太快也不能太慢）3、结
晶速度（尽量慢的让溶剂挥发，一旦析出结晶，过滤，可能得到单晶也可能是混晶，千万别
用母液洗晶体）4、环境的选择（放在一个平稳的地方，千万不能有一丝一毫的震动，否则
即使得到单晶也全完了）。
组成部分不同。
所谓单晶(monocrystal, monocrystalline, single crystal)，即结晶体内部的微粒在三维空间呈有规律地、周期性地排列，或者说晶体的整体在三维方向上由同一空间格子构成，整个晶体中质点在空间的排列为长程有序。单晶整个晶格是连续的，具有重要的工业应用。
由于熵效应导致了固体微观结构的不理想，例如杂质，不均匀应变和晶体缺陷，有一定大小的理想单晶在自然界中是极为罕见的，而且也很难在实验室中生产。另一方面，在自然界中，不理想的单晶可以非常巨大，例如已知一些矿物，如绿宝石，石膏，长石形成的晶体可达数米。
一、构成不同
1、单晶：结晶体内部的微粒在三维空间呈有规律地、周期性地排列，或者说晶体的整体在三维方向上由同一空间格子构成，整个晶体中质点在空间的排列为长程有序。
2、多晶：是众多取向晶粒的单晶的集合。
二、特点不同
1、单晶：一定外形、长程有序。如铜的单晶，硅的单晶等。很多取向不同而机遇的单晶颗粒可以拼凑成多晶体。单晶是各向异性的。
2、多晶：多晶则是各向同性的。在摄取多晶衍射图或进行衍射计数时，多晶样亦有其特色。
三、性质不同
1、单晶：晶体内部各个部分的宏观性质是相同的；晶体中不同的方向上具有不同的物理性质；晶体具有周期性结构，熔化时，各部分需要同样的温度；理想环境中生长的晶体应为凸多边形。
2、多晶：多晶体中当晶粒粒度较小时，晶粒难于直观呈现晶面、晶棱等形象，样品清晰度差，呈散射光。
参考资料来源：百度百科-单晶
参考资料来源：百度百科-多晶
