光伏太阳能板多晶硅好还是单晶硅好

1、原子结构排列和加工工艺不同

单晶硅与多晶硅的区别在于它们的原子结构排列，单晶是有序排列，多晶是无序排列，这主要是由它们的加工工艺决定的，多晶多采用浇注法生产，就是直接把硅料倒入埚中融化定型，而单晶是采取西门子法改良直拉，直拉过程就是一个原子结构重组的过程。

2、转换效率不同

单晶硅电池平均转换效率要比多晶硅高，大概在10%-20%左右。相对而言单晶硅价格比多晶硅也高。

3、外观不同

从外观上面看的话，单晶硅电池片的四个角呈现圆弧状，表面没有花纹；而多晶硅电池片的四个角呈现方角，表面有类似冰花一样的花纹。

参考资料来源：百度百科-单晶硅

参考资料来源：百度百科-多晶硅

好吧，多晶硅。1.单晶硅多晶硅是一种用于制造太阳能电池板的原材料。2.硅是地球上极其丰富的元素，几乎无处不在，可以说是取之不尽用之不竭。用硅做太阳能电池，原料不缺。3.多晶硅太阳能电池板的速度一般是单晶硅的两到三倍，电压要稳定。4.多晶硅太阳能电池的制造工艺与单晶硅太阳能电池相似，光电转换效率约为12%，略低于单晶硅太阳能电池。但材料制造简单方便，耗电省，生产总成本低，所以得到了很大的发展。

单晶的转换效率高且昂贵；多晶转换效率低且便宜。

国内市场有很多多晶体，或者说都是多晶体。

日本的市场最近很火，但是日本要求很高，都是单晶。人们对日本的观念是做到最好，一次做好，对效率衰减要求非常高，需要我们国内学习。

非晶硅(a-si)

熔融硅在过冷条件下凝固时，硅原子以无规网络形态排列成许多晶核，这些晶粒结合起来，就结晶成非晶硅。

多晶硅(p-si)

熔融硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。

单晶硅(c-si)

以高纯度多晶硅为原料在单晶炉中被熔化为液态在单晶种（籽晶）上结晶而成由于其晶体的原子和分子以同一方向（晶向）周期性地整齐排列所以称为单晶硅。

单晶硅电池光电转换率较高可达14%-17%,但价格较高。多晶硅电池价格相对较低转换效率一般为12%-14%，非晶硅薄膜电池价格低廉但光电转换率低，稳定性不如晶体硅

单晶硅电池具有电池转换效率高，稳定性好，但是成本较高。多晶硅电池成本低，转换效率略低于直拉单晶硅太阳能电池，材料中的各种缺陷，如晶界、位错、微缺陷，和材料中的杂质碳和氧，以及工艺过程中玷污的过渡族金属。

单晶硅是用多晶硅经单晶炉拉制而成的，也有用区熔法制取单晶硅的。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。

单晶硅(Monocrystalline silicon)：

可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位。

在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天，利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。北京2008年奥运会将把“绿色奥运”做为重要展示面向全世界展现，单晶硅的利用在其中将是非常重要的一环。现在，国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段，正在向实际应用阶段过渡，太阳能硅单晶的利用将是普及到全世界范围，市场需求量不言而喻。河北宁晋单晶硅工业园区正是响应这种国际趋势，为全世界提供性能优良、规格齐全的单晶硅产品。

单晶硅产品包括φ3”----φ6”单晶硅圆形棒、片及方形棒、片，适合各种半导体、电子类产品的生产需要，其产品质量经过当前世界上最先进的检测仪器进行检验，达到世界先进水平。

用 途： 是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。

多晶硅(polycrystalline silicon )：

多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。

多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。

用途：电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。

单晶硅片:硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。

单晶硅的生产工艺:1.石材加工一开始是石头(所有石头都含硅)。这块石头被加热后变成了液态。加热后变成气态，气体通过一个密封的大盒子。盒子里有N多个加热的子晶体，两端用石墨夹住。当气体通过盒子时，子晶体会将其中一种气体吸收到子晶体中，子晶体逐渐变厚。因为有些变成固体了，所以很慢，大概一个月。2.酸洗当然还有大量的废气等等。(四氯化硅)在生产过程中产生。现在看来是处理不好了。事不宜迟，等原生多晶体有了，就开始酸洗，氢氟酸，硝酸，醋酸等等。原生多晶体外的东西洗干净后，会放入烘房烘干，无尘检验，包装。3.拉晶要拉晶，拉晶就是在拉晶炉里加热熔化多晶硅。将晶体向上提拉后，工人们首先将多晶硅放入应时坩埚中。(为了降低成本，工厂还会用一些洗过的电池片和碎硅片一起熔化。)关炉加热。应时锅的熔点是1700度，硅的熔点只有1410度左右。硅熔化后，应时坩埚慢慢上升，晶体从上面下降到坩埚的中心液面。同时锅底电加热，液面冷却，晶体指向液面会出现光点。慢慢旋转，拉起，放肩，转肩，正常拉杆，完成。大约一天半后，一根单晶棒就会出来。4.切割正方形当单晶棒可用时，切割正方形。单晶棒通常为6英寸，P型，电阻率为0.5-6欧姆(一英寸约等于2.4厘米)。把棒的四边切掉，做成带倒角的正方形，切片，每片0.22毫米。

重掺硅单晶最主要的用途是用作硅外延片的衬底材料，广泛用于超大规模集成电路及彩色电视机电路。它还可制造隧道二极管、稳压管等。

重掺硅单晶掺杂浓度高，其电阻率达到2×10-2Ω·cm的半导体硅材料，属简并半导体。其特点是：

(1)杂质能级简并化，形成杂质带

(2)费米能级接近或进入导带或满带

(3)载流子统计分布服从费米-狄拉克统计

(4)在室温下杂质能级未全部电离，在极低温度下，它趋向于金属导电的特点。单晶生长采用直拉法。

生长特点：

在晶体生长过程中，常常在晶体的尾部出现“溶质析出”。这个现象的实质是发生了组分过冷，平坦生长界面的稳定性遭到破坏，转变成脆状界面。它造成了严重的杂质富集。

制备特点：

蒸气压较大的掺杂剂砷或磷，必须在硅料熔完后直接投入硅熔体。蒸气压较小的硼或锑亦可与硅多晶料共同熔化。由于砷、磷、锑的蒸发效应都较严重，在计算掺杂量时应考虑到蒸发的因素。拉制过程中，必须保证硅熔体表面以下的石英坩埚内壁不沉淀SiO和含砷、磷、锑的挥发物。

分类：

实用的重掺硅单晶的掺杂剂，一般为p型掺硼，n型掺锑或砷。