是什么造成了光伏电站组件失配

直接受影响的就是输出功率。

大型

光伏电站

串并联失配损失3%-6%；

不同的厂家的不同规格的组件失配损失均不同。

串联失配---输出功率最小的组件影响整串的输出功率。

并联失配--整串组件的MPPT最大功率跟踪点不同，影响输出功率。

选用质量优质的

光伏组件

，对整个

光伏电站

的非常重要的，影响发电量，影响投资人收益率。

1.失配损耗：

组串及光伏阵列由于组串单独组件及不同组串间输出不匹配所导致的损耗。

2.逆变电器损耗：

逆变电器相关损耗包含逆变电器自身损耗，直流电转换交流电中MPPT追踪导致的损耗。

逆变电器自身损耗主要包含有：逆变电器的效率、过载损耗、功率阀值损耗、过电压损耗、电压阀值损耗。

3.线缆损耗

线缆损耗主要是由于电压降导致的欧姆损耗，需基于项目实际使用线缆情况而决定。

线缆损耗主要包含AC及OCX线缆损耗。

AC线缆损耗：指AC输出到变压器连接点间造成的损耗

DC线缆损耗：指光伏阵列，汇流箱输出端至逆变器DC输入端造成的损耗。

一、禁带亮度效率损失

VOC随Eg的增大而增大，但另一方面，JSC随Eg的增大而减小。结果是可期望在某一个确定的Eg随处出现太阳电池效率的峰值。

二、温度引起的效率损失

随温度的增加，效率η下降。I-SC对温度T很敏感，温度还对VOC起主要作用。对于Si，温度每增加1°C，VOC下降室温值的0.4%，h也因而降低约同样的百分数。

例如，一个硅电池在20°C时的效率为20%，当温度升到120°C时，效率仅为12％。又如GaAs电池，温度每升高1°C，VOC降低1.7mv 或降低0.2%。

三、光强对效率的影响

将太阳光聚焦于太阳电池，可使一个小小的太阳电池产生出大量的电能。设想光强被浓缩了X倍，单位电池面积的输入功率和JSC都将增加X倍，同时VOC也随着增加(kT/q)lnX倍。因而输出功率的增加将大大超过X倍，而且聚光的结果也使转换效率提高了。

四、金属栅和光反射引起的效率损失

在前表面上的金属栅线不能透过阳光，引起效率降低。为了使ISC最大，金属栅占有的面积应最小。为了使RS小，一般是使金属栅做成又密又细的形状。因为有太阳光反射的存在，不是全部光线都能进入Si中。裸Si表面的反射率约为40%。使用减反射膜可降低反射率。对于垂直地投射到电池上的单波长的光，用一种厚为1/4波长、折射率等于（n为Si的折射率）的涂层能使反射率降为零。对太阳光，采用多层涂层能得到更好的效果。

通常我们使用组件输出功率与电池片功率总和的百分比(Cell To Module简称CTM值)表示组件功率损失的程度，CTM值越高表示组件封装功率损失的程度越小。

影响CTM的因素很多，包括：

A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。

B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带，汇流条本身的电阻引起的损耗，焊带不良导致的接触电阻、接线盒的电阻。

C.不同电流的电池片串联时引起的电流失配损失，由于组成组件的各电池片最大工作点电流不匹配造成的失配损失(分档，低效片混入)。

D.热损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。

E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。

F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。

影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗。

光学损耗产生的差异主要为单多晶电池产品的制绒工艺是不同的，反射率的差异性比较大B-O复合损耗的差异为单多晶原料片生长工艺不同，单晶原料过程中引入的硼氧对要多于多晶原料。

本文设计实验主要针对以上两点进行实验设计，分析造成单多晶组件CTM差异性的原因。

如果CTM值较低，组件的输出功率有可能达不到预期的要求，遭到客户的投诉，最终造成经济效益的损失。

与此相反，如果可以提高CTM值，组件的输出功率的增加会提高公司组件产品的收益，已达到降低生产成本的目的。

在组件产品的生产过程中发现单晶组件和多晶组件的CTM差别比较大。

在组件生产工序完全一致的情况下，单晶组件CTM损失要高于多晶组件，本文主要针对单晶和多晶组件CTM的差异性进行研究，解释单多晶组件CTM不同的内在原因。