晶硅光伏和薄膜光伏发电 有什么区别
晶硅太阳能光伏发电是用多晶硅组件,薄膜太阳能发电用双结硅基薄膜组件
一、晶硅太阳能光伏发电优势:
1、1平米的双结硅基薄膜组件输出功率约为78Wp,而相同面积的多晶硅组件的输出功率约在147Wp。
2、除组件外,其他配套产品的成本更低。因晶硅组件的单位面积出功率约为双结硅基薄膜组件的2倍,那么建设同样大小的光伏太阳能发电站,晶硅组件使用的数量约为双结硅基薄膜组件的一半,那么所需要的电气设备和电缆的耗量,在使用晶硅组件的光伏太阳能发电站中比使用双结硅基薄膜组件的要小很多。
3、占地面积更小。建设同样容量的屋顶光伏太阳能发电站,因所需要的晶硅组件的数量要远少于双结硅基薄膜组件,则相应的,使用晶硅组件的屋顶光伏发电站的占地面积比双结硅基薄膜组件要小很多,使得太阳能光伏发电系统成本更优。
4、晶硅组件的结构使得其比双结硅基薄膜组件更易运输。因大型地面光伏太阳能发电站大都建于偏远地区,需经海运、陆运等多种途径才能到达项目现场,在运输过程中,双结硅基薄膜组件(尤其是无边框型的产品)因其自身的玻璃结构,在相同的包装情况下,更易出现碎裂,而晶硅组件很少出现这种情况。
5、便于安装。晶硅组件重量较双结硅基薄膜组件更轻,在安装分布式光伏发电站项目的现场,更容易安装到支架上。
晶硅组件在屋顶光伏太阳能发电站应用中出现的缺陷主要为,在出现遮阴的情况下,容易形成孤岛效应,这将极大的降低整个阵列乃至屋顶太阳能发电站的功率输出。
二、薄膜太阳能发电优势:
双结硅基薄膜组件在光伏太阳能发电站应用中,其主要优势体现在:
1、功率温度系数小。双结硅基薄膜组件的温度系数约为-0.19%/℃,而晶硅组件的温度系数约为-0.44%/℃,说明双结硅基薄膜组件在夏天,热带地区或是沙漠地区的每瓦发电量要略高于晶硅组件。
2、在光照弱或者出现遮阴的情况下,使用双结硅基薄膜组件的光伏电站的发电量要略高于使用晶硅组件建设的分布式屋顶光伏发电站。
两者有以下区别:
1、发电原理不同
薄膜发电,是依靠具有轻、薄、柔特点的薄膜太阳能电池芯片,像英特尔芯片(Intel Inside)一样嵌入各类载体,提供清洁电力,光伏发电是利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术
2、用途不同
薄膜发电主要用于手机、iPad、背包、帐篷、衣服、特种装备上,或者太阳能汽车,可以在太阳下边行驶边充电,摆脱对充电桩的依赖,光伏发电用于静置的发电装置,如太阳能热水器
3、运用技术不同
薄膜发电用太阳芯片发电,光伏发电用利用半导体界面的光生伏特效应发电
扩展资料:
光伏发电的优缺点
优点
无论从世界还是从中国来看,常规能源都是很有限的。中国的一次能源储量远远低于世界的平均水平,大约只有世界总储量的10%
太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源,具有充分的清洁性、绝对的安全性、相对的广泛性、确实的长寿命和免维护性、资源的充足性及潜在的经济性等优点,在长期的能源战略中具有重要地位。
与常用的火力发电系统相比,光伏发电的优点主要体现于:
①无枯竭危险;
②安全可靠,无噪声,无污染排放外,绝对干净(无公害);
③不受资源分布地域的限制,可利用建筑屋面的优势;例如,无电地区,以及地形复杂地区;
④无需消耗燃料和架设输电线路即可就地发电供电;
⑤能源质量高;
⑥使用者从感情上容易接受;
⑦建设周期短,获取能源花费的时间短。
缺点
但是,太阳能电池板的生产却具有高污染、高能耗的特点,在现有的条件下,生产国内自己使用的电池板还说的过去,不过大量出口等于污染中国,造福世界了
据统计,生产一块1m×1.5m的太阳能板必须燃烧超过40公斤煤,但即使中国最没有效率的火力发电厂也能够用这些煤生产130千瓦时的电(一般一块1mx1.6m的太阳能板一年发电量在250千瓦时以上)——这足够让2.2瓦的发光二极管(LED)灯泡按照每天工作12小时计算发光30年。
①照射的能量分布密度小,即要占用巨大面积;
②获得的能源同四季、昼夜及阴晴等气象条件有关。
③目前相对于火力发电,发电机会成本高。
④光伏板制造过程中不环保。
参考资料来源:百度百科-薄膜发电
百度百科-光伏发电
没见过并不能说薄膜发电光伏产品骗人的,更不能随便去否定一家有真实产业的公司,我们应该从科学的角度去分析,例如为什么城乡地区大部分使用晶硅太阳能电池,极少使用薄膜太阳能电池?单晶硅太阳能电池和多晶硅太阳能电池在目前国内大量推广使用主要因为生产技术简单,设备便宜,加上近年来硅价格在较低水平,国家对于光伏发电有补贴政策,成本控制在大众可以接受的水平。简单总结就是技术门槛低、产品价格低、具备适中的转换效率,所以在第一代的光伏发电产品里是非常成功的,得到迅速普及,大众认知度也很高。但随着了解产品质量及技术特点的人越来越多,对于晶硅产品存在的热斑效应、转换效率衰退、二次污染等问题逐渐引起关注,市场慢慢开始转向第二代光伏发电产品薄膜太阳能电池。发达国家早已大量使用薄膜太阳能电池,特别是美国、德国、日本普及率很高,中国用户近年也开始重视光伏产品的技术特点及质量,薄膜太阳能电池在卫星、无人机、高档别墅、大型社区等中高端市场供不应求,但随着产能的扩大,城乡地区分布式市场也将得到大力推广,也会有越来越多的人能享受薄膜太阳能光伏发电产品带来的便利。
文章来源于薄膜技术专家网页链接
制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础,其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应,根据所用材料的不同,太阳能电池可分为:1、硅太阳能电池;2、以无机盐如砷化镓III-V化合物、硫化镉、铜铟硒等多元化合物为材料的电池;3、功能高分子材料制备的大阳能电池;4、纳米晶太阳能电池等。
一、硅太阳能电池
1.硅太阳能电池工作原理与结构
太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应,一般的半导体主要结构如下:
图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。
当硅晶体中掺入其他的杂质,如硼、磷等,当掺入硼时,硅晶体中就会存在着一个空穴,它的形成可以参照下图:
图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。而黄色的表示掺入的硼原子,因为硼原子周围只有3个电子,所以就会产生入图所示的蓝色的空穴,这个空穴因为没有电子而变得很不稳定,容易吸收电子而中和,形成P(positive)型半导体。
同样,掺入磷原子以后,因为磷原子有五个电子,所以就会有一个电子变得非常活跃,形成N(negative)型半导体。黄色的为磷原子核,红色的为多余的电子。如下图。
N型半导体中含有较多的空穴,而P型半导体中含有较多的电子,这样,当P型和N型半导体结合在一起时,就会在接触面形成电势差,这就是PN结。
当P型和N型半导体结合在一起时,在两种半导体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层),界面的P型一侧带负电,N型一侧带正电。这是由于P型半导体多空穴,N型半导体多自由电子,出现了浓度差。N区的电子会扩散到P区,P区的空穴会扩散到N区,一旦扩散就形成了一个由N指向P的“内电场”,从而阻止扩散进行。达到平衡后,就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差,这就是PN结。
当晶片受光后,PN结中,N型半导体的空穴往P型区移动,而P型区中的电子往N型区移动,从而形成从N型区到P型区的电流。然后在PN结中形成电势差,这就形成了电源。(如下图所示)
由于半导体不是电的良导体,电子在通过p-n结后如果在半导体中流动,电阻非常大,损耗也就非常大。但如果在上层全部涂上金属,阳光就不能通过,电流就不能产生,因此一般用金属网格覆盖p-n结(如图 梳状电极),以增加入射光的面积。
另外硅表面非常光亮,会反射掉大量的太阳光,不能被电池利用。为此,科学家们给它涂上了一层反射系数非常小的保护膜(如图),将反射损失减小到5%甚至更小。一个电池所能提供的电流和电压毕竟有限,于是人们又将很多电池(通常是36个)并联或串联起来使用,形成太阳能光电板。
2.硅太阳能电池的生产流程
通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350~450μm的高质量硅片上制成的,这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。
上述方法实际消耗的硅材料更多。为了节省材料,目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法,包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。此外,液相外延法(LPPE)和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。
化学气相沉积主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4或SiH4,为反应气体,在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上,衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。但研究发现,在非硅衬底上很难形成较大的晶粒,并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用 LPCVD在衬底上沉积一层较薄的非晶硅层,再将这层非晶硅层退火,得到较大的晶粒,然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜,因此,再结晶技术无疑是很重要的一个环节,目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶法。多晶硅薄膜电池除采用了再结晶工艺外,另外采用了几乎所有制备单晶硅太阳能电池的技术,这样制得的太阳能电池转换效率明显提高。
三、纳米晶化学太阳能电池
在太阳能电池中硅系太阳能电池无疑是发展最成熟的,但由于成本居高不下,远不能满足大规模推广应用的要求。为此,人们一直不断在工艺、新材料、电池薄膜化等方面进行探索,而这当中新近发展的纳米TiO2晶体化学能太阳能电池受到国内外科学家的重视。
以染料敏化纳米晶体太阳能电池(DSSCs)为例,这种电池主要包括镀有透明导电膜的玻璃基底,染料敏化的半导体材料、对电极以及电解质等几部分。
阳极:染料敏化半导体薄膜(TiO2膜)
阴极:镀铂的导电玻璃
电解质:I3-/I-
如图所示,白色小球表示TiO2,红色小球表示染料分子。染料分子吸收太阳光能跃迁到激发态,激发态不稳定,电子快速注入到紧邻的TiO2导带,染料中失去的电子则很快从电解质中得到补偿,进入TiO2导带中的电于最终进入导电膜,然后通过外回路产生光电流。
纳米晶TiO2太阳能电池的优点在于它廉价的成本和简单的工艺及稳定的性能。其光电效率稳定在10%以上,制作成本仅为硅太阳电池的1/5~1/10.寿命能达到20年以上。但由于此类电池的研究和开发刚刚起步,估计不久的将来会逐步走上市场。
四、染料敏化TiO2太阳能电池的手工制作
1.制作二氧化钛膜
(1)先把二氧化钛粉末放入研钵中与粘合剂进行研磨
(2)接着用玻璃棒缓慢地在导电玻璃上进行涂膜
(3)把二氧化钛膜放入酒精灯下烧结10~15分钟,然后冷却
2.利用天然染料为二氧化钛着色
如图所示,把新鲜的或冰冻的黑梅、山梅、石榴籽或红茶,加一汤匙的水并进行挤压,然后把二氧化钛膜放进去进行着色,大约需要5分钟,直到膜层变成深紫色,如果膜层两面着色的不均匀,可以再放进去浸泡5分钟,然后用乙醇冲洗,并用柔软的纸轻轻地擦干。
3.制作正电极
由染料着色的TiO2为电子流出的一极(即负极)。正电极可由导电玻璃的导电面(涂有导电的SnO2膜层)构成,利用一个简单的万用表就可以判断玻璃的那一面是可以导电的,利用手指也可以做出判断,导电面较为粗糙。如图所示,把非导电面标上‘+’,然后用铅笔在导电面上均匀地涂上一层石墨。
4.加入电解质
利用含碘离子的溶液作为太阳能电池的电解质,它主要用于还原和再生染料。如图所示,在二氧化钛膜表面上滴加一到两滴电解质即可。
5.组装电池
把着色后的二氧化钛膜面朝上放在桌上,在膜上面滴一到两滴含碘和碘离子的电解质,然后把正电极的导电面朝下压在二氧化钛膜上。把两片玻璃稍微错开,用两个夹子把电池夹住,两片玻璃暴露在外面的部分用以连接导线。这样,你的太阳能电池就做成了。
6.电池的测试
在室外太阳光下,检测你的太阳能电池是否可以产生电流。
上图为非晶、微晶结构图,
下面是原理1.硅太阳能电池工作原理与结构
太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应,一般的半导体主要结构如下:
图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。
当硅晶体中掺入其他的杂质,如硼、磷等,当掺入硼时,硅晶体中就会存在着一个空穴,它的形成可以参照下图:
图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。而黄色的表示掺入的硼原子,因为硼原子周围只有3个电子,所以就会产生入图所示的蓝色的空穴,这个空穴因为没有电子而变得很不稳定,容易吸收电子而中和,形成P(positive)型半导体。
同样,掺入磷原子以后,因为磷原子有五个电子,所以就会有一个电子变得非常活跃,形成N(negative)型半导体。黄色的为磷原子核,红色的为多余的电子。如下图。
N型半导体中含有较多的空穴,而P型半导体中含有较多的电子,这样,当P型和N型半导体结合在一起时,就会在接触面形成电势差,这就是PN结。
当P型和N型半导体结合在一起时,在两种半导体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层),界面的P型一侧带负电,N型一侧带正电。这是由于P型半导体多空穴,N型半导体多自由电子,出现了浓度差。N区的电子会扩散到P区,P区的空穴会扩散到N区,一旦扩散就形成了一个由N指向P的“内电场”,从而阻止扩散进行。达到平衡后,就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差,这就是PN结.
当晶片受光后,PN结中,N型半导体的空穴往P型区移动,而P型区中的电子往N型区移动,从而形成从N型区到P型区的电流。然后在PN结中形成电势差,这就形成了电源。(如下图所示)
由于半导体不是电的良导体,电子在通过p-n结后如果在半导体中流动,电阻非常大,损耗也就非常大。但如果在上层全部涂上金属,阳光就不能通过,电流就不能产生,因此一般用金属网格覆盖p-n结(如图 梳状电极),以增加入射光的面积。
另外硅表面非常光亮,会反射掉大量的太阳光,不能被电池利用。为此,科学家们给它涂上了一层反射系数非常小的保护膜(如图),将反射损失减小到5%甚至更小。一个电池所能提供的电流和电压毕竟有限,于是人们又将很多电池(通常是36个)并联或串联起来使用,形成太阳能光电板。
详细请参考以下网址:http://hi.baidu.com/photovoltaic/blog/item/cb217ca821d264fb1f17a206.html
里面有好多基础资料。
“薄膜电池是做为一种新技术引进的”
——访北京交通大学理学院太阳能研究所所长徐征教授
“薄膜‘替代论’是不客观的”
近日,北京交通大学理学院太阳能研究所所长徐征教授接受了记者的专访,他认为,薄膜电池将替代晶体硅电池之说是不客观的。他表示:“市场上认为薄膜电池将凭借其生产成本低、材料易得等优势,替代传统多晶硅、单晶硅电池这种说法是不客观。”
徐征说:“持此种观点的人,大多以其材料易得性来说明薄膜电池的成本优势,但从整体成本考虑,仅产品成本低还不足以说明这个行业的生产成本低。比如同样做一个大型电站,除了考虑生产设备、生产技术,还要把更大的土地成本算进去。目前,晶体硅电池的转换率是薄膜电池的两倍,建一个同规模电站的话,仅土地成本薄膜电池将是晶体硅的两倍。一个行业的成本是多种因素构成的,而非一、两个技术特点决定。同一个电站项目,特别是大型电站项目,多晶硅、单晶硅电池的高转换率决定了其比薄膜电池更具优势。”
薄膜电池弱光性优势显现
徐征教授介绍说,目前,薄膜电池分很多种类。其中有非晶硅与微晶叠层的薄膜电池,转化率可以达到9%;砷化镓,转化率一般在25%左右;碲化镉是市场比较活跃的投资项目,美国第一太阳能去年在世界的碲化镉产量和装机都是最高的。徐征说,不同薄膜电池各有优势,比如砷化镓,其主要应用在太空,转换率非常高,最高可以到达35%以上,并且具有抗辐射的特性。一般来说,热能对砷化镓的影响不大,而晶硅电池遇极热将大幅降低发电效率。
徐征教授表示,薄膜电池的弱光性特性将使其适合做幕墙工程。所谓弱光性指的是电池设备对光子的吸收。对光子的吸收越多,转换率就越大。晶体硅转换率高低由太阳光强度以及其对太阳的角度决定,换言之,阳光强度越强;角度越准确,转换率越高。
薄膜就像其他技术一样,也有自身的优势。比如其特有的弱光性就是其它电池材料不具备的。光线强与光线弱的时候,晶体硅转换率差别很大。但薄膜却在光线较暗的情况下,依然能够产生电流。玻璃幕墙一般是垂直的,这样的光照角度必然影响其对光子的吸收,从而影响晶体硅的转换率。而薄膜的弱光性,即有光就可以发电的优势,确定其作为建筑幕墙的最好选择。
“薄膜设备本来就是非常贵的”
据记者了解,以25兆瓦的非晶硅薄膜电池生产线为例,公开资料显示,其价格在3亿元—4亿元人民币之间,而25兆瓦晶体硅太阳能电池生产线的设备成本则仅有4000万元—5000万元。
目前,国内引进一台薄膜电池生产机器花费超过1亿元。由此,国外设备投资商对中国实施的“陷阱论”成为热议。对此,徐征所长表示:“不能这么简单地、主观认为这是美国对中国太阳能企业的一个‘陷阱’。”
徐征强调:“薄膜电池的引进首先是一种先进技术的引进。而生产薄膜的设备历来都是非常贵的,并不是单纯生产薄膜电池生产设备贵。”徐征解释,现在常生产的平板显示就可以得以说明。目前,在平板显示生产线上,平板显示也需要用到薄膜产品,其薄膜设备可以达到几十个亿。
“生产一台薄膜设备造价本身就很高。如果说用在生产薄膜电池非常贵是不客观的。”徐教授说,“不是美国人卖给我们就贵,而是薄膜设备自身制造成本就比较高。 ”
“薄膜电池价格优势渐失”
“目前,薄膜电池成本低廉的优势渐失。”徐征分析,这主要缘于晶体硅原材料稳步进入价格下降通道,专家预测,未来多晶硅价格还将继续下跌,薄膜成本优势也随着多晶硅价格下降而减弱。这对部分薄膜电池生产商产生了极大的市场压力,从部分薄膜生产商集体选择缄默也表示其对薄膜电池发展充满忧虑。
尽管薄膜电池发展受到冲击和考验,但薄膜电池的确也有其发展的空间。比如薄膜电池在幕墙及屋顶项目应用空间还是很大。
徐征说:“政府目前允许薄膜电池与晶体硅电池参与太阳能电站的招标,也表明了政府的态度。意味着政府默认薄膜电池与晶体硅并存发展。未来,薄膜电池仍将得到较大的发展。”
尚德电力新闻负责人张建敏在接受采访时也基本同意徐征的观点。“薄膜、晶体硅各有市场。” 张建敏说,“从市场分析,薄膜电池还是有其发展空间的。一些薄膜电池公司技术数据能够提高很快,成本优势尚存。从其用途上来看,薄膜更适用于玻璃幕墙的项目,在光伏建筑一体化项目上更具优势。”
薄膜电池至少是一种新选择
——访中投顾问能源行业首席研究员姜谦
近几年来,随着各国的重视程度愈来愈高,全球太阳能光伏产业的发展可谓日新月异。但即便是这样,太阳能光伏发电5倍于传统火力发电的成本仍然让很多企业望而生畏,这也是到目前为止,太阳能光伏发电不仅难与火力发电,甚至难与同为可再生能源的风力发电相抗衡的主要原因。
以目前市场上占主流的硅基太阳能电池为例,2006年电池占太阳能光伏系统总成本的比例超过65%,目前也在50-60%,这也就是说电池占了整个光伏系统成本的一半以上。而要降低整个光伏系统的成本,关键点也就在核心部件光伏电池上。
中投顾问能源行业首席研究员姜谦在接受采访时表示,虽然随着全球主流厂家技术突破的进程不断加快,硅基太阳能电池成本下降的趋势很明显,但这显然跟不上整个产业的发展步伐。而薄膜电池这时候作为一种新的选择出现,短期内替代硅基电池的主流地位并不现实,但从长远来看,它对于全球光伏产业的巨大推动作用却毋庸置疑。
姜谦说:“成本低是薄膜电池相比于硅基电池的最大优势所在。”以目前市场上最成熟的碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池为例,截至2009年,龙头企业First Solar生产成本已经从2008的93美分/瓦降至84美分/瓦,另外,该公司计划到2014年要将成本进一步降至0.52-0.63美元,与此同时要将转换效率拉升至12.5%。目前在该领域,First Solar还处于独家垄断阶段,随着越来越多竞争者的加入,碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池的发展潜力会更加凸显。通用电气近期与PrimeStar太阳能公司的合作,就是致力于碲化镉薄膜太阳能光伏产品的开发。
而除了碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池之外,近期硒化铜铟镓电池(CIGS)也成为市场关注的焦点。CIGS电池具有性能稳定、抗辐射能力强,光电转换效率目前是各种薄膜太阳电池之首,接近于目前市场主流产品晶体硅太阳电池转换效率,成本却是其1/3。2006年、2007年全球CIGS太阳能电池组件的产能分别仅为17MW、60MW左右,产量更是微乎其微。而2008年全球CIGS电池的产量在40MW左右,2009年则是更进一步,产能超过660MW,实际产量也达到180MW左右,增幅超过300%,显示了良好的发展势头。
在政策层面,以我国为例,虽然目前国内市场并未真正开启,但在国家能源局主导的第二轮光伏并网电站招标工作中,招标方案将不再限定技术种类,薄膜电池技术也可以参与竞标,这也从一个侧面反映出国家对薄膜电池的支持。
综上所述,目前所存在的种种质疑,不应该是对薄膜发展可行性的质疑,但发展时机、发展速度、发展方向等等应该是整个产业需要谨慎对待的。姜谦说:“从产业的长远布局来看,发展薄膜技术不仅是毋庸置疑的,甚至应该是非常紧迫的。”
薄膜电池生产企业:
薄膜电池发展应有其必要性
在采访中,部分薄膜产品生产商表示,与晶体硅电池相比,薄膜电池的成本下降潜力要大得多,主要得益于薄膜太阳能电池的技术进步日新月异。薄膜太阳能电池预计未来的产能可能会达到整个太阳能行业的20%,发展空间较大。薄膜太阳能电池现在发展面临技术突破,有很多物理方法,比如说离子束方法沉积纳米晶硅薄膜工艺。
从成本角度分析,未来的薄膜太阳能电池比晶体硅电池有明显优势,较之火电等常规能源具有明显的替代优势。某薄膜电池生产商表示,随着光伏产业在全球能源中占比例逐步提高,薄膜太阳能电池在大型光伏电站、BIPV等应用需求推动下将迅猛发展。但不同的薄膜太阳能电池还有各自的缺点,或转换效率偏低,或存在环境安全问题,有的存在原材料资源稀缺问题,这些问题也需要产业形成规模后逐步解决。“有理由相信,薄膜太阳能电池即将迎来高速成长。”上述企业人士解释,以硅基薄膜太阳能电池为例,其电池技术发展成熟度高,使用叠层工艺将使转换效率及衰减问题不再突出。其次,研发实力雄厚的半导体设备供应商纷纷切入硅基薄膜太阳能电池设备供应领域,薄膜太阳能电池设备供应商快速崛起,对行业迅猛发展起到了重要的推动作用。
从技术路线发展看,目前,硅基薄膜太阳能电池已经发展到第四代——非晶硅/微晶硅双结叠层电池。这种非晶硅与微晶硅叠层的基本结构将成为未来硅薄膜太阳能电池的主流发展趋势。“薄膜电池发展有其必要性。”