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hit电池是什么电池 hit电池全名是什么

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2022-12-31 00:18:12

hit电池是什么电池 hit电池全名是什么

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2025-09-14 11:35:10

1、HIT电池,即采用HIT结构的硅太阳能电池,开路电压729mV。采用HIT结构的硅太阳能电池,所谓HIT结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜,采取该工艺措施后,改善了PN结的性能。

2、HIT全名是Heterojunction with intrinsic Thinlayer。

最新回答
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2025-09-14 11:35:10

【太平洋汽车网】首先,从定义上讲:锂电池,是一类由锂金属或锂合金为负极材料、使用非水电解质溶液的电池。hit电池(俗称异质结电池),中文名称晶体硅异质结太阳能电池。该技术工艺是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜,它综合了晶体硅电池与薄膜电池的核心竞争力,是高转换效率硅基太阳能电池的热门朝向中的一种。

锂离子电池一般是使用锂合金金属氧化物为正极材料、石墨为负极材料、使用非水电解质的电池。由于锂金属的化学特性非常活泼,使得锂金属的加工、保存、使用,对环境要求非常高。并且容易产生锂枝晶,存在刺穿隔膜造成短路从而导致起火的安全事故。所以,并没有得到大规模的使用。

近年来HIT电池转变成公司特别关注的热点,也是新一轮光伏市场行情借机炒作的核心部分。中投证券甚至是指出“HIT电池片技术工艺正敲定着突破”。HIT通常是指异质结电池,HIT具有更高效率、衰减系数低、温度系数好、双面率高等显著核心竞争力,这样的话,这HIT电池到底是何许人也?其技术工艺迅速崛起。

利用非晶硅薄膜与单晶硅衬底异质结结构的异质结电池的核心竞争力关键体现在:效率高、低光衰、温度系数低、弱光响应高等诸多核心竞争力。这些核心竞争力带来的最明显的基本特征便是,电池具有更强的发电能力、度电成本更低。

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2025-09-14 11:35:10
适用范围和效率不同。1.hit电池应用范围广。这种电池可广泛应用于太阳能电池板、城市公共交通、通讯设备、电力安装工程等不同的经济领域。,而abc电池只能用于城市公共交通和通信设备等少数领域,应用范围很小。2.hit电池效率高。这种电池正反面都可以用,利用率可以达到90%以上,而abc电池只能用正面,效率在98%左右。首先,从定义上来说,锂电池是一种以锂金属或锂合金为负极材料,非水电解质溶液的电池。Hit电池(俗称异质结电池),中文名晶体硅异质结太阳能电池。该技术是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜,集成了晶体硅电池和薄膜电池的核心竞争力,是高转换效率硅基太阳能电池的热点趋势之一。

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2025-09-14 11:35:10
具体区别如下: HIT中文名为异质结电池,全称为“晶体硅异质结太阳能电池”,是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜,综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势,是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。 非晶硅太阳能电池的结构最常采用的是pin结构,而不是单晶硅太阳能电池的p-n结构。这是因为:轻掺杂的非晶硅的费米能级移动较小,如果用两边都是轻掺杂的或一边是轻掺杂的另一边用重掺杂的材料,则能带弯曲较小,电池的开路电压受到限制;如果直接用重掺杂的p+和n+材料形成p+-n+结,那么,由于重掺杂非晶硅材料中缺陷态密度较高,少子寿命低,电池的性能会很差。

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2025-09-14 11:35:10

HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-layer的缩写,中文名称为本征薄膜异质结电池。别称还有HJT、HDT、SHJ。HIT电池技术是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜,综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势,是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。

HIT电池结构是以N型单晶硅片作衬底,正反面个三层薄膜(本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜、金属氧化物导电层TCO)。

这种结构给HIT电池带来了效率高、低光衰、温度系数低、双面发电、弱光响应高等多项优势,呈现出来的结果就是,HIT电池具备更高的发电能力、度电成本更低,这点正符合了光伏行业永恒追求方向。

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2025-09-14 11:35:10
abc电池和hit电池的区别?abc电池和hit电池的区别是材质不同,abc电池是铁锂电池,铁锂电池的全名是磷酸铁锂锂离子电池。hit电池是异质结电池,中文名称晶体硅异质结太阳能电池,该技术工艺是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜。

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2025-09-14 11:35:10

采用HIT结构的硅太阳能电池,所谓HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)结构就是在P型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与n型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜,采取该工艺措施后,改变了PN结的性能。因而使转换效率达到20·7%,开路电压达到719 mV,并且全部工艺可以在200℃以下实现。

其结构如下: