PERC、N型双面、黑硅—主流高效电池技术对比简析
2015年光伏领跑者计划推出，国家通过此项计划引导光伏行业有序升级，行业积极响应并顺势加快高效电池技术从研发走向量产的步伐。经过市场大浪淘沙，光伏行业主要选择的主要高效电池技术有：多晶黑硅电池技术、N型单晶双面电池技术以及P型单晶PERC电池技术。下面就电池工艺、组件功率、光致衰减、隐裂等方面探讨上述几种技术的优劣。
一、PERC单晶电池
1、PERC单晶单面电池
常规单晶电池主要效率区间为19.8-20%，对应的组件功率为280W。为了进一步提升单晶电池效率，在电池背面增加了钝化层。通过背面钝化层的作用，电池的表面复合速率显著降低，电池的效率提升到20.8-21%，对应的组件功率由280W提升到290W。
和常规单晶电池工艺相比，PERC单晶电池主要增加了背面钝化、背面SiNx膜沉积和激光打孔三道工艺。其中激光打孔工艺是利用一定脉冲宽度的激光在去除部分覆盖在电池背面的钝化层和SiNx覆盖层，以使丝网印刷的铝浆可以与电池背面的硅片形成有效接触，从而使光生电流可以通过Al层导出。因Al浆无法穿透SiNx层，其余未被激光去除的钝化层被覆盖在其上方的SiNx覆盖层保护，发挥降低表面复合速率，提升效率的作用。
通常背面的激光开孔面积约占电池片表面积的5-10%，如激光开孔面积过低，则光生电流在传输过程中电阻较大，从而产生较大的热损失，导致电流效率降低。如激光开孔面积过大，则钝化层无法有效发挥降低表面复合速率的作用，导致电池的效率无法有效提升。激光开孔工艺在电池片表面产生了5-10%的损伤。作为整片单一晶体，PERC单晶由于背面的完整晶体结构被破坏，有很大的隐裂或破碎的风险，晶体损伤可能导致硅片沿着此损伤整片碎裂。PERC单晶电池由于正反面金属结构不同所造成的2-5mm的翘曲，翘曲应力和激光损伤的联合作用下，PERC单晶电池的隐裂或破碎的风险将显著提高。
组件应用在光伏电站后，在整个生命周期内，组件都需要持续经受机械载荷或风载荷等考验。为了保证组件在光伏电站使用的可靠性，组件都需通过5400Pa机械载荷测试，行业标准是测试后组件功率的衰减量小于5%，因为激光开孔工艺造成的损伤导致硅片破碎几率增大，因此PERC单晶组件经过机械载荷测试后的衰减普遍大于5%，而常规单多晶组件的机械载荷测试功率衰减量普遍小于3%。可以看出PERC单晶组件的机械载荷衰减率明显高于其他组件产品。对光伏电站来说，在雪载荷和风载荷等的持续用下，PERC单晶组件从激光开孔点开始逐渐出现隐裂和破片，伴随的是组件功率的持续下降。PERC电池的高机械载荷衰减率PERC单晶组件的这一缺陷给光伏电站发电量带来了极大不确定性。为了缓解PERC单晶在机械载荷和隐裂方面的缺陷，行业采取在组件背面添加加固横梁的方式，并进行了采用加厚硅片来缓解隐裂的尝试，但这些方法均提高了组件的单瓦成本，与降低度电成本的大方向背道而驰。
光致衰减方面，多晶黑硅光衰约为1.5%，N型单晶基本没有光衰，而PERC单晶的光衰在2-10%之间，从而导致PERC单晶组件应用在光伏电站后很可能光电转换效率大幅下降，光伏电站发电量和收益率而随之大幅下降。
2、PERC单晶双面电池
PERC单晶单面电池的背面为全Al层，背面入射光线无法穿透该全Al层，因此PERC单晶单面电池只有正面可以吸收入射光进行光电转换。为了使PERC电池均有双面光电转换功能，行业改变了PERC电池的印刷工艺，将背面全Al层印刷工艺修改为背面局部Al层印刷工艺。该工艺是尽量保证背面Al浆印刷在激光开孔点处，以使光生电流仍然可以通过激光开孔点的Al层导出。
PERC单晶双面电池背面由全Al层改为局部Al层，因此背面的入射光可由未被Al层遮挡的区域进入电池，实现双面光电转换功能。由于激光开孔点仍然需要Al浆来疏导光生电流，因此背面的大部分区域任然覆盖了Al浆，因此和电池正面超过20%的光电转换效率相比，PERC单晶双面电池背面可吸收光线的区域有限，背面的光电转换效率预计在10-15%。同时由于背面由全Al层改为局部Al层，电池的正面效率可能会下降0.2-0.5%。
由于PERC单晶双面电池的工艺与PERC单晶单面电池的工艺并无明显区别，因此PERC单晶双面电池任然面临隐裂率高、机械载荷衰减率高、光致衰减率高等问题。对光伏电站来说，使用PERC单晶双面组件仍然有明显的可靠性风险，对保证电站收益率也是巨大的考验。
二、N型单晶双面电池
N型单晶双面电池在近年也逐步释放产能，从相关资料来看，国内若干主要企业均具有一定技术储备。这种电池的特点也是双面皆可吸收入射光线，从而提升电池和组件的发电量。目前有企业宣传该款电池的正面效率大于21%，背面效率大于19%。封装成组件后，正面功率接近300W，背面功率接近270W。结合各种应用场景，组件发电功率较高。和常规电池相比，该款电池主要增加了双面浆料印刷和硼元素掺杂（如旋涂、印刷高温推进和固态源扩散等）等工艺。目前国内主要企业储备的该产品技术基本都没有用到激光等工艺，因此整个电池制作工艺不对硅片造成额外损伤，组件可在各种使用条件下保持稳定性。此外，还具有无光致衰减、弱光响应好等特点。
P型单多晶电池正面印刷Ag栅线，背面整面印刷Al浆，因此电池正面和背面的金属结构和成分不对称，在丝网印刷烧结后电池片会产生2-5mm的翘曲，从而在电池内部产生应力，由于翘曲和应力的作用，P型单多晶电池的破片率明显提升。由此包括电池生产、组件生产和光伏电站组件中的电池破裂率均提升。N型单晶双面电池正背面均印刷Ag栅线且图形相近，因此N型单晶双面电池结构均有对称性，电池在丝网烧结印刷后不产生翘曲。此外，N型单晶双面电池的工艺流程中无激光等损伤，保持完整晶体结构。综合以上因素，N型单晶双面电池破片率更低。
由于N型单晶双面电池正背面均印刷银浆，因此该款银浆的耗量高于P型单多晶电池。在产能方面，N型电池与P型电池的相比还有差距。
三、多晶黑硅电池
多晶硅片中具有若干不同晶向的晶体，因此单晶广泛应用NaOH溶液各向异性制绒工艺并不适用于多晶制绒。目前通行的多晶硅制绒工艺主要是HF/HNO3混合溶液的缺陷腐蚀制绒法，此方法制绒后的硅片反射率约为18%，高于常规单晶制绒后11%的反射率，不利于多晶电池对入射光线的有效吸收。为了进一步降低多晶硅片制绒后的反射率，采用特殊制绒工艺在多晶硅片表面形成纳米结构，增加有效多晶硅片对入射光线的吸收。采用这种制绒工艺生产的多晶电池有更低的反射率，此方法制绒的多晶电池从肉眼来看比普通多晶电池更黑，因此这种工艺被称为黑硅制绒。
多晶黑硅制绒工艺主要有干法制绒和湿法制绒两种。干法黑硅制绒工艺为反应离子刻蚀法（Reactive Ion Etching，RIE），该方法是等离子体在电场作用下加速撞击硅片，在硅片表面形成纳米结构，从而降低多晶硅片的反射率。湿法黑硅制绒工艺为金属催化化学腐蚀法（Metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE），该方法是在硅片表面附着金属，利用HF与强氧化剂混合溶液腐蚀硅片表面，附着在硅片表面的金属随着腐蚀过程而向下沉积，从而在硅片表面形成纳米结构，有效降低硅片表面的反射率。无论干法或是湿法黑硅制绒工艺，都可将多晶电池效率提升0.6%以上，采用多晶黑硅电池封装的组件功率也可从265W提升到275W。多晶黑硅电池的整个制作工艺简单，不对硅片造成额外的损伤，使多晶组件可在各种使用条件下保持可靠性，保证了多晶组件在光伏电站整个生命周期发电量的稳定。此外，多晶电池还具有光致衰减低的特点，多晶电池的光致衰减普遍低于1.5%，而PERC单晶电池的光致衰减为2-10%。可以看出，与PERC单晶电池相比，多晶黑硅的光致衰减率具有很好的优势。
在全球的晶体硅光伏产品中，多晶产品仍然占有50%以上的市场需求。多晶产品具有单瓦价格低、工艺成熟、组件可靠性高的特点，有效降低光伏电站风险，为光伏电站收益提供可靠保障。
结语
多晶黑硅电池和N型单晶双面电池在光致衰减率、破片率和机械载荷衰减率等方面均明显好于PERC单晶电池。因此相比于PERC单晶电池，多晶黑硅电池和N型单晶电池将为光伏电站带来更为稳定的发电量，光伏电站业主的投资回报也可以得到更好的保障。光伏电站作为预期运营25年、30年乃至更长时间的投资项目，除了组件初始功率外，还需要关注组件功率在整个电站生命周期的稳定性和衰减率，以保证稳定的投资回报。
来自阿尔托大学的科学家开发出一种效率超过130%的黑硅光探测器，同时，这也是光伏器件设备第一次实现效率突破100%的理论极限，这是早先被认为是外部量子效率的理论最大值。阿尔托大学电子物理研究组的负责人Hele Savin教授说：当我们看到结果时，简直不敢相信自己的眼睛，然后我们马上就想通过独立的测量来验证结果。
这些独立测量是在德国国家计量研究所Physikalisch-Technische Bundesanstalt(PTB)进行的，该研究所以提供欧洲最准确和可靠的测量服务而闻名。国家计量研究所探测器辐射测量实验室负责人Lutz Werner博士评论说：在看到结果后，我立即意识到这是一项重大突破！同时，对于我们梦想提高灵敏度的计量学家来说，这也是非常受欢迎的一步。
这一突破背后的秘密是独特的纳米结构。当一个入射光子向外部电路产生一个电子时，器件的外部量子效率为100%（这个值此前被认为是理论极限），130%的效率意味着一个入射光子产生大约1.3个电子。研究发现，异常高的外部量子效率的根源，在于高能光子触发的硅纳米结构内部电荷（载流子倍增过程）。早些时候在实际器件中没有观察到这种现象，因为电和光损耗的存在减少了收集到的电子数量。
研究人员可以收集所有倍增的载流子，而不需要单独的外部偏置，因为纳米结构设备没有复合和反射损失。实际上，记录效率意味着利用光检测的任何设备的性能都可以显著提高，其研究成果发表在《物理评论快报》期刊上。光探测已经广泛应用于我们的日常生活中，例如，在汽车、手机、智能手表和医疗设备中。阿尔托大学附属Elfys Inc首席执行官Mikko Juntunen博士说：
该黑硅光电探测器目前获得了很大的吸引力，特别是在生物技术和工业过程监控方面，并且已经在制造用于商业用途的记录探测器。目前，紫外光传感器被广泛应用于从各种光谱应用，到生物技术创新到工业过程控制的众多领域。尽管如此，目前的紫外线传感器的性能却出人意料地差。新研究成果打破了理论上单光子-单电子势垒：
并实现一种在没有外部放大的情况下，在紫外光范围内效率超过130%的外量子效率(EQE)的设备。使用具有自感应结的纳米结构硅光电二极管，获得了创纪录的高性能。研究表明，这种高效率是基于对纳米结构中发生碰撞电离所产生多个载流子的有效利用。
该技术可增加有效发电面积，充分利用组件面积相同的面积下，可以比常规组件多放置6%以上的电池片。
叠瓦技术优化了组件结构，大大减少了组件的内部损耗，大幅度提高了组件的输出功率。保证了组件封装过程中功率损失最小，有效降低了反向电流和组件产生热斑效应的影响，并具有良好的可靠性。
此外，叠瓦技术可融合多种电池片新技术如PERC、黑硅、HIT、N型等等，能够将高效光伏电池的性能发挥到极致。
叠瓦:一点不留片间距!
金教授
传统晶硅组件技术基本都采用传统金属焊带连接电池片，有其自身的缺陷。电池片间隙和栅线、焊带遮挡占用组件的受光面积，栅线及焊带的线损、受温度而热胀冷缩均对组件的转换效率和性能稳定性有较大的影响。
“日食”高效叠瓦技术是将电池片切片后，再用专用的导电胶把电池片连成串。并采用叠片的连接方式，这样做到了前后两片电池无间隙，充分利用了组件上有限的受光面积，输出更高功率，再加上叠瓦技术有效降低了组件内部损耗。最终，明显提升了叠瓦组件的转换效率。
在可靠性上，叠片的连接方式可分解电池片所受应力，比传统组件更好地承受机械载荷，且隐裂更少。此外，叠瓦组件抵抗阴影遮挡的能力更强、工作温度更低等。这些优势都保证了其可靠性。
“日食”高效叠瓦技术比传统组件产品功率高10%+，并不断刷新着最高功率纪录。
常州比太黑硅科技有限公司是2017-03-13在江苏省常州市武进区注册成立的有限责任公司，注册地址位于武进国家高新技术产业开发区凤翔路7号金沙江光电产业园内。
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1)技术革新是毁灭性的，技术路线差异对原来的巨头可能是颠覆性的压力。
比如隆基这种单晶巨头的崛起过程，本身就是多晶巨头保利协鑫的衰退过程。一体两面，从股价就能看出来。技术变革期，行业净资产实际折旧远高于会计折旧，另外沉没成本也限制巨头转型。比如保利协鑫，虽然也看到了多晶大势已去，但是因为沉没成本，会搞很多技术铸锭单晶晶、黑硅、颗粒硅来阻止大趋势。市场对技术迭代的风险有担心，压制了估值。
2)行业过去是补贴驱动的，本质上过去是周期而非成长的行业。
因为过去市场装机量从 10gw到100gw，但是组件价格也从10块一瓦到了今年1.4元一瓦。行业产值不变，蛋糕就那么大，竞争是很残酷的。而且政策影响大，持股体验非常差。遇到531这么大的波动，非常糟糕。
3)行业capex大，因为新产能总是有更好的单瓦成本，囚徒困境，扩产是大部分厂商不得已的选择。自由现金流、分红能力堪忧，这也是美股里晶科能源等估值较低的原因。这个切实存在。
三个压制估值的因素，今明两年都将很大改善
站在2020年下半年初现在这个节点看，这三个压制估值的因素，今年明年都有很大的改善。
第一，技术迭代的风险，越往上游，影响越来越小。
硅料 硅片已经接近技术成熟期了。未来主流基本仍然是晶硅路线，仍然是单晶路线。从p型到N型，对上游影响非常小。硅料只是纯度不同，硅片不需要更换设备，做大规模资本开支。未来的变革，主要是电池片环节，从perc. topcon到hit。巨头技术迭代的风险在变小。
第二，就是行业真正从周期到成长。
未来10年，组件价格从1.5到1元附近，(组件价格一半都是辅材，成本下降是有瓶颈的)装机量从120gw到1000gw，蛋糕是增长的。需求是两条曲线的叠加，一个是因为5G 数据中心 电动车等发展，用电量本身年化有3%以上的增长，一个是煤电 核电因为经济性和政策的原因在退出。。未来反正也没有补贴了，像531这么大的政策波动反正是不会有了，政策的影响主要是消纳空间的划分，产业链话语权的博弈。
第三，就是capex。
今年很多光伏企业跑赢所有其他公司及其它行业，很重要的原因就是有的企业明年利润体量估值空间达到100亿以上，但并不需求大规模资本开支。而且设备单gw的投资额一直在下降，利润足够支撑内生增长。
这三个因素的边际改善，叠加欠补问题的解决，如果十四五规划还能够超预期，我们是能够大概率看到光伏行业，尤其是龙头的估值提升的。但长期看，估值提升又是可以通过业绩增长消化的。所以估值提升是一个大幅提升而又回落的过程。
雪球
四大光伏企业分别是英利绿色能源控股有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、常州天合光能有限公司和苏州阿特斯阳光电力科技有限公司。
1、英利绿色能源控股有限公司：
一家全球领先的太阳能公司，也是全球最大的垂直一体化光伏发电产品制造商之一。业务主要涉及光伏组件的设计、制造和销售，产品主要销往德国、西班牙、意大利、希腊、法国、韩国、中国和美国等国家和地区，总部位于中国保定。
2、无锡尚德太阳能电力有限公司：
无锡尚德太阳能电力由施正荣博士于2001年1月建立，是一家集研发、生产、销售为一体的外商独资高新技术光伏企业，主要从事晶体硅太阳电池、组件、光伏系统工程、光伏应用产品的研究、制造、销售和售后服务。
3、常州天合光能有限公司：
全球领先的光伏智慧能源整体解决方案提供商，1997年创立于江苏常州， 2020年6月10日, 天合光能在上海证券交易所科创板挂牌交易，成为首家在科创板上市的涵盖光伏产品、光伏系统以及智慧能源的光伏企业。
4、苏州阿特斯阳光电力科技有限公司：
阿特斯阳光电力集团由归国太阳能专家瞿晓铧博士于2001年创办，2006年在美国纳斯达克股票交易所上市(纳斯达克代码：CSIQ)，是专业从事硅锭、硅片、太阳能电池片、太阳能组件和太阳能应用产品的研发、生产和销售，以及太阳能电站系统的设计和安装的光伏一体化企业。
扩展资料
阿特斯阳光电力集团成立19年来（2001年成立），通过多元化发展战略和市场布局，阿特斯已在全球7个国家和地区成立了16家光伏硅片、电池和组件生产企业，并在20多个国家和地区建立了分支机构。
阿特斯通过创新提高组件功率及单瓦发电量，降低度电成本。阿特斯研发的超410瓦黑硅多晶PERC双面半片电池组件，成为全球正面功率就超过400瓦的双面多晶组件，组件背面发电双面率高达75%。
在不同地面安装环境下，其组件背面发电增益最高可达30%。而由阿特斯研发并推出的十款组件，最高功率已超435瓦。
参考资料来源：百度百科-中国英利绿色能源控股有限公司
参考资料来源：百度百科-无锡尚德太阳能电力有限公司
参考资料来源：百度百科-天合光能股份有限公司
参考资料来源：百度百科-阿特斯阳光电力有限公司
重庆三峡水利电力(集团)有限公司有着70多年的产业进步历史。1997年8月4日，a股上市，成为重庆电力行业第一家上市公司，中国水利系统第一家上市公司。公司主营业务为发电和供电:同时从事12.5万千瓦以下火电机组安装、110千伏输变电工程设计施工、中温中压以下工业锅炉安装、大型水工金属构件及_-_类压力容器安装、制造、广告、建筑装饰工程施工、商务等。是集电力开发和多种经营为一体的企业集团。
单晶，效率高、成本高；多晶，效率低、成本低。在光伏行业近十年来的爆发式增长中，多晶组件一直是市场的绝对主流，但目前这一情况正在发生前所未有的变化。
虽然目前多晶产品在光伏市场仍保持微弱优势，占据全球近六成的市场份额，但在近3年的时间里， 单晶产品的占比已从不足20%，一路飙升至目前的46%，并且近期增势不减，大有“取代”多晶“霸主”地位之势。
随着单晶、多晶产品价差的缩小，这对“宿敌”的竞争会走向何方？
（文丨本报实习记者 董梓童）
“现阶段市场对单晶的青睐，主要得益于光伏产业从粗犷式发展转向精细化发展的新形势、新要求”
“单多晶之争之所以引人注目，最早是由于前些年领跑者计划的推出。该计划对组件转化率提出了明确要求，这在很大程度上推动了转化效率有优势的单晶产品的发展。”中国新能源电力投融资联盟秘书长彭澎说， “但近年来随着单晶产品产能的扩大，其成本迅速下降，确实对多晶形成了较大压力。”
行业分析机构PV InfoLink数据显示，自2016年起，单晶产品开始呈现明显的上涨势头， 全球市场占比从2016年的19%，提升至2017年的28%，2018年这一数据更是攀升至46%。
晶科能源控股有限公司副总裁钱晶认为，领跑者计划限定了组件效率的硬性指标，当时单晶产品的“火”更多是靠政策驱动，但对于目前的竞价项目， 单晶的“火”则是投资人根据投资收益模型科学测算后的自发选择性行为。
隆基乐叶光伏 科技 有限公司董事长助理王英歌也表示：“现阶段市场对单晶的青睐，主要得益于光伏产业从粗犷式发展转向精细化发展的新形势、新要求。 因为市场对高效组件需求开始逐步释放，所以目前高效单晶组件还处于供不应求的状态。”
在此情况下，隆基股份已经启动扩产计划，加快对单晶产品的布局速度。2019—2021年，隆基股份计划单晶硅棒/硅片产能分别达到36吉瓦、50吉瓦和65吉瓦；单晶电池片产能分别达到10吉瓦、15吉瓦及20吉瓦；单晶组件产能分别达到16吉瓦、25吉瓦和30吉瓦。
“高效单晶产品是全球光伏产业发展的必然趋势。” 钱晶说，“目前晶科能源单晶产品占比已经超过总产能半壁江山，其中高效单晶目前占比在48%左右，预计今年底或将超过50%。”
此外， 据光伏业内人士透露，一些此前专注于多晶的企业也开始转向单晶。 “以江西展宇光伏 科技 有限公司为例，截至目前，其多晶产线的一半已经完成了改造，逐渐向单晶靠拢。”
PV InfoLink表示，从目前的市场风向可以预见， 今年单晶产品的市场占有率将进一步提升至近60%。换言之，届时单晶将取代多晶坐上头把交椅。
“国际市场对高效单晶组件需求旺盛，使得单晶组件价格维持在较高水平”
在彭澎看来，单多晶占比的变化是市场逐渐发展、成熟的自然过程。在竞价模式开启、平价上网渐行渐近的背景下，光伏产业市场化进程越来越快，对产品度电成本、转化效率会更加看重，未来在这方面表现突出的产品、设备将会逐步占领更多的市场。
王英歌告诉记者：“与多晶组件相比，单晶组件提高效率的潜力更大。 目前，市场上高效单晶PERC组件的转换率在22.5%左右，而高效多晶PERC组件的转换率维持在20%上下，显然有差距。”
尽管单晶产品光电转换效率比多晶高，但两者之间的巨大价差不容忽视。据了解，目前普通多晶组件功率在275瓦，普通单晶组件功率为305瓦，高效单晶组件能达到315瓦以上， 普通多晶组件比普通单晶组件价格低约0.1元/瓦，比高效单晶组件价格低0.4元/瓦左右。 最新数据显示，普通多晶组件的价格在1.7—1.8元/瓦左右，普通单晶组件价格在1.9元/瓦左右，而高效单晶在2.15元/瓦左右。换言之， 多晶产品的成本优势仍旧明显。
“目前单多晶产品间的价差不代表实际成本差异。”王英歌说，“国际市场对高效单晶组件需求旺盛，使得单晶组件价格维持在较高水平。随着单晶产能的持续增加， 供应紧张情况缓解，明年单价组件价格将会回落，单多晶产品的价差也会缩小。”
而在多家光伏企业高管的眼中，单晶产品价格的下降空间也优于多晶产品，“ 多晶组件的售价已逐渐逼近成本线，而单晶产品还可以通过改善工艺、扩大规模等方式持续降本， 同时在光伏电站的运输、安装等后续环节上，也可以为客户节省更多。”
“单多晶在成本、转换效率上各有优缺点，产品的应用定位也不尽相同”
其实，“5·31”光伏新政出台后，单多晶市场就处于硝烟弥漫的状态。苏州协鑫光伏 科技 有限公司金善明曾表示，单多晶之争在于性价比。“由于在前端处理等环节上的效果不同，单多晶在成本、转换效率上各有优缺点，产品的应用定位也不尽相同。 比如在草原、沙漠上，土地资源并不是项目考量的关键，采用多晶的可能性大一些，而在地皮紧张的项目上，由于单晶效率高于多晶，采用单晶的可能性更大。”
同时，多晶技术也在持续提升。金善明在今年SNEC上表示，在硅片端，持续降低的多晶硅料成本、持续降低的铸锭能耗及综合成本，以及“金刚线切片+黑硅技术”是助推平价上网的三驾马车。
其中，铸锭单晶技术是指在常规多晶铸锭工艺基础上加入单晶籽晶，最终制成类单晶硅片。保利协鑫能源控股有限公司首席技术官万跃鹏介绍，通过近几年的技术研发，协鑫铸锭单晶硅片已经成为市场上有竞争力的产品，市场占有率正快速提升。
值得一提的是， 在近些年单多晶市场不断重塑的背景下，普通单晶已经逐渐被排除在竞争之外。 今年3月底，PV InfoLink称：“由于普通单晶组件市场总量相比去年明显减少，市场以高效单晶组件为主，因此不再跟踪普通单晶电池片以及组件价格。”
“不管黑猫白猫，能抓到老鼠的就是好猫”
“不管黑猫白猫，能抓到老鼠的就是好猫。不管是哪种技术路线，都是市场化的选择，而企业对单多晶路线不同选择都是基于对市场的不同判断。”中国光伏行业协会副秘书长刘译阳说。
在市场化越来越明显的趋势下，话语权已经逐渐转移到消费者一方。 协鑫集成 科技 （苏州）有限公司销售副总监张喆说：“市场的变化是随市场需求和客户选择而变的，不管哪种产品，都需要遵循市场导向，做消费者需要的产品。”
集邦分析师施顺耀认为： “对消费者来说，单多晶产品的分类并不是他们考虑的因素，产品的性能、收益率才最被重视。”
在这种情况下，市场也不是“一边倒”，而是两极分化明显。施顺耀介绍，目前市场上对两种产品的需求度较高，一种是最低价的产品，另一种是最高价的产品。“出于成本考虑，在两种产品效率差距并不大的时候，消费者可能会选择稍次的产品，同时在较好产品缺货等情况出现时，这种情况也会发生。”
钱晶表示，从地域来看，新兴市场同样会对多晶产品有需求。王英歌则预测， 未来多晶产品会集中在低端市场，在品质要求不太高而注重成本的项目上大显身手，单晶产品或将在追求效率的屋顶等项目上广泛使用。
纵观光伏产业发展 历史 ， 单多晶之争从来没有停止过，呈现此消彼长的态势。 在刘译阳看来， 竞争背后反映出来的是对光伏产业发展的促进，即成本的快速下降、效率的大幅提升，是产业内的良性循环。
“说到底，单多晶是两种不同技术路线，不能说某一种产品就一定优于另一种。” 中国可再生能源学会副秘书长李丹说， “技术之争不会结束。”
End
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出品 | 中国能源报（ID：cnenergy）
责编 | 卢奇秀
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在2010年之前，单晶硅片主要以对边距125mm(硅棒直径f164mm)的小尺寸硅片为主，并有少量对边距156mm(f200mm)的硅片，2010年后，156mm硅片的比例越来越大，并成为行业主流，125mm的P型硅片在2014年前后基本被淘汰，基本仅应用于一些IBC电池与HIT电池的组件
