EVU 鞋底有什么特点

ev板是防腐瓦（板）材质。EV防腐瓦（板）就是耐酸碱腐蚀的屋面瓦、墙面瓦。EV防腐瓦成份树脂环氧乙烯基树脂酚醛树脂增强材料无碱玻璃纤维毡。UV板就是表面经过UV处理保护的板材UV是Ultraviolet的英文缩写，UV本即紫外光固化漆，也称光31发涂料。在刨花板、密度板等板材上通过上UV漆，再经过UV光固化机干燥而形成的板材，因其易加工，可实现工业化生产，色泽鲜艳，耐磨，坑化学性强，使用寿命长，对机械设备和工艺技术要求高，并目具有抗潮湿抗变形的特点：底漆采用无溶剂型4E绿色高档涂料，不具有挥发性，无委环保：国化后具有高光抗菌效果比较理想的装饰板材。

近日，半导体领域迎来重磅消息，南大光电的ArF光刻胶取得突破，国产光刻胶终于来了！

南大光电光刻胶突破

早在5月30日，南大光电就已经发布公告称，公司自主研发的ArF光刻胶产品通过客户认证，具备55nm工艺要求。

7月2日，有报道称，南大光电的ArF光刻胶产品目前已经拿到了小批量订单。

这都在表明，国产光刻胶终于不再受制于人，而是实现国产化了。

芯片在制造过程中，除了硅这种主要材料之外，一些辅助材料也至关重要，其中有一种名为光刻胶的材料，在芯片制造过程中必不可少，然而，这个材料却长期被日本垄断，中国也在这方面一直被卡脖子。

而最近传出的一个消息，对我国半导体的发展非常不利，日本对中国供应的光刻胶出现了“断供”的现象。美国召开G7峰会后，日本宣布光刻胶断供中国，日本信越化学等光刻胶企业开始限制供应ArF光刻胶产品。

断供光刻胶，对半导体行业的人而言并不陌生，2019年日韩贸易冲突白热化，日本就断供了光刻胶，导致当时全球最大的芯片厂商三星陷入了困境之中。

虽然韩国积极向日本低头求和并开展自救，但芯片生产依然受到巨大影响，间接推动了2020年的芯片短缺。

巧妇难为无米之炊，没有了光刻胶，对于中国的晶圆厂而言是巨大的打击，芯片生产将被迫停止！

好在，光刻胶的国产化进程并不慢，日企断供短短半年时间，南大光电就已经将国产光刻胶投入市场中了。

南大光电，成立于2000年12月，是以南京大学国家863计划研究成果作为技术支持的中国高纯金属有机化合物MO源的产业化基地。

1986年，863计划启动，在高济宇院士的支持和指导下，学者孙祥祯牵头进行MO源的技术攻关。MO源是一种禁运物资，更是生产化合物半导体的源头材料，对我国国防安全、高 科技 民族工业有重要意义。

历经重重困难，孙祥祯带领的课题组终于研制出了纯度大于5.5N的多个品种的MO源，全面向国内近20家研究单位供货，缓解了我国对MO源的急求。

这项工艺不仅促进了国防工业的发展，更为国内化合物半导体材料的发展奠定了原始的基础。

孙祥祯退休后，带领年轻人创立了南大光电，注册资本3770万元，生产拥有自主知识产权的高纯金属有机化合物，是国内唯一实现MO源产业化的企业，公司的技术主要来源便是南京大学863计划中的项目。

公司主要产品有三甲基镓，三甲基铟，三甲基铝，二茂镁等十几种MO源，在产品的合成、纯化、分析、封装、储运及安全操作等方面已达到国际先进水平，产品远销日本、韩国、欧洲市场，并占有大陆70%的市场份额。

作为国内唯一将半导体光学原材料实现量产的企业，南大光电对于光刻胶可以说十分熟悉，也是最有可能突破光刻胶技术的企业。

中国半导体在崛起

光刻胶到底是做什么用的呢？

芯片生产过程中，需要用光学材料将数以万计的电路刻在小小的7nm的芯片上，而这种辅助的光学材料，就是光刻胶。

在光刻胶领域，材料主要分为四种，分别为g线、i线、KrF、ArF光刻胶，半导体工艺越高，光刻机的精度越高，照射的光线频率越高，波长越短。

光刻胶的分辨率会随着光线频率的改变而不断变化，基本的演进路线是：g线（436nm） i线（365nm） KrF（248nm） ArF（193nm） F2（157nm） EUV（

其中，ArF光刻胶的制造难度是最高的，这也是14nm/7nm芯片制造过程中不可或缺的原材料。

芯片的工艺也分等级，平板电脑、 汽车 芯片等工艺水平并不高，这各等级的芯片中国已经实现了从光刻机到芯片的完全自主化生产。真正困难的在于7nm的芯片，也就是华为遭到断供的手机芯片。

这种工艺的手机芯片，不仅需要荷兰ASML先进的EVU光刻机来生产，更需要高端的光刻胶作为辅助材料，以及大量的芯片原材料，才能成功生产出华为手机所需要的芯片。

光刻机被美国和荷兰的公司垄断，现在EVU光刻机对中国处于断供状态，中芯国际花了12亿购买的EVU光刻机至今仍未到货；

芯片原材料，虽然国内已有部分原材料实现自主生产，但是硅片、光掩模、电子特气、抛光材料、溅射靶材、光刻胶以及湿电子化学品这其中原材料完全依赖进口。

在全球光刻胶市场，日本东京应化，JSR，住友化学，信越化学等企业，掌握了全球半导体光刻胶市场的90%左右份额，几乎是垄断的状态。

方正证券的报告显示，中国大陆企业在全球光刻胶领域占有率不到13%，在半导体光刻胶领域更是不足5%，完全被日本卡了脖子！

但是，进入2021年以后，中国半导体行业国产化的趋势越来越强！

首先是光刻机领域，上海微电子已经实现28nm光刻机的量产，预计2022年可以交付，这款光刻机的性能与荷兰ASML的DVU光刻机相似，可以生产14nm制程工艺的芯片。

另外，美国虽然断供了最先进的EVU光刻机，但是制程工艺相对较低的DVU光刻机却没有断供，而荷兰ASML也明确表态过，EVU光刻机也可以用于7nm工艺芯片，英特尔的10nm工艺、台积电第一个7nm芯片，都是用DVU光刻机实现。

这意味着，2022年，现有的光刻机技术或许能够提前量产华为所需的7nm芯片，打破美国封锁。

而生产7nm工艺芯片所需要的ArF光刻胶，在7月2日就已经有国外企业向南大光电订购了，这意味着半导体光刻胶原材料也实现了自主化。

另外，南大光电，容大感光、上海新阳等国内企业，也在持续研发高端光刻胶，争取在现有技术上进一步突破，追上日本的光刻胶技术。

剩下的6种完全依赖进口的原材料，国内的企业肯定也已经发现了商机，正在朝着国产化转变；最关键的两项技术突破后，中国实现手机芯片国产化的日子也就不远了。

空谈误国、实干兴邦，中国的半导体行业，正在默默地奋力追赶，一如这次南大光电突然给市场来个惊喜一样，未来还将会看到更多的一鸣惊人的突破。

中国半导体，正在以惊人的速度崛起！

作者 | 金莱

1、处理器不同

华为Mate系列一直作为海思麒麟新款处理器的首发机，今年亦是如此，只不过Mate40并未直接搭载新款顶配处理器，这样一来P40便与Mate40从综合性能上缩小了差距。

P40搭载的处理器为麒麟990 5G Soc，采用了当年最先进的7nm+EVU工艺，共集成103亿个晶体管。CPU为8核心，具有2大核、2中核、4微核的能效设计，主频达到了2.86GHz；

GPU 采用了Mail-G76架构，共拥有16核心；NPU为双大核、单微核设计，并集成了巴龙5000调制解调器，以此实现对5G网络的支持。

Mate40搭载了采用5nm+EVU工艺的麒麟9000E 5G Soc处理器。CPU为8核心设计，包括1个大核、3个中核、4个微核，主频达到了3.13GHz；GPU为Mail-G78，拥有22核心；NPU为单大核、单微核设计，同样集成了巴龙5000调制解调器。

麒麟9000E处理器使用了更先进的制造工艺，CPU主核及其它核心频率都有所提升，同时GPU也升级到了Mail-G78，拥有了更多的核心，这样一来Mate40在CPU运算及图形图象处理方面性能将得到极大的提升。但麒麟9000E的NPU只有一个大核和一个小核，在机器学习方面相比麒麟9000性能会有所降低。

Mate40在总体性能方面要强于P40，尤其是CPU运算和GPU图形图像处理方面。但前者处理器的NPU仅双核心设计，在AI机器学习方面势必会拉低整块处理器的运算能力，而对于后者来说，这方面则表现的较为均衡。

2、屏幕不同

屏幕方面，Mate40不仅使用了曲面屏，还将沿用两代的刘海屏升级为打孔屏，这便与P40有了更多的相似之处。

P40采用了一块6.1英寸平面圆角的OLED屏幕，色彩值达到了1670万，支持DCI-P3广色域，分辨率为2340×1080，并在屏幕左上角留有胶囊型开孔；

它的中框为铝合金材质，边缘通过打磨具有弧度，并以塑胶连接充当手机各功能的天线，底部分别为卡槽、送话器孔、Type-C接口、扬声器孔，顶部为辅助送话器孔。

因该机型使用了磁悬发声技术，通过屏幕透传音来替代听筒，因此在外观上并未留有听筒孔位；后壳为具有曲度的玻璃材质，左上角区域与突出的矩形镜头保护盖紧密贴合，机身长宽分别为148.9mm、71.06mm，厚8.50mm，整机重175g。

Mate40全新升级了屏幕，采用了一块具有68°曲度、6.5英寸的OLED柔性屏幕，在具备P40屏幕属性的基础上，它还支持90Hz的刷新率及240Hz的触控采样率，并且它一改往代机型的刘海造型，前摄部位（左上角）采用了单打孔设计；中框同P40一样为铝合金材质。

但因其前后面板均具有曲度，因此中框两侧最薄，中框右侧中上部为实体音量控制及开关机按键，顶部为3.5mm耳机接口、听筒（辅助扬声器）开孔、红外发射装置、辅助送话器孔，底部为卡槽、主送话器孔、Type-c接口、主扬声器孔；

后壳有玻璃（机身厚8.8mm，重188g）、素皮（机身厚9.2mm，重184g））两种材质，整机长156.8mm，宽72.5mm，后壳居中靠近顶部为环形摄像头矩阵，并在中心嵌有“LEICA”标志。

因为后者采用了曲面屏，虽然拥有更大尺寸的屏幕，但从机身长宽比例来看，两者差距并不是很大，但后者的机身更为圆润，因此手持握感更佳。

值得一提的是Mate40仍然保留了3.5mm的耳机接口，并使用了双扬声器设计，这便使得Mate40具有了立体声音效，相比P40，在娱乐方面体验效果更佳。

3、摄像头不同

P40与Mate40的后置摄像头几乎一致，前摄及功能传感器不同成为这两款机型在拍照方面最大的区别。

P40前置摄像头为3200万像素广角镜头（f/2.0），并配备红外摄像头用于人像辅助。

Mate40前置1600万像素广角镜头（f/2.4），后摄配备了激光对焦传感器。

主打时尚的P40在采用大像素人像摄像头的同时，还配备了一颗红外摄像头。这颗辅助摄像头，在暗光环境下利用位于两颗摄像头之间的红外补光灯，可实现人脸识别功能；在正常环境下作为黑白镜头使用，搭配前置主摄可形成双目视差，实现前置人像虚化。除此之外该镜头还具有姿态感应功能。

Mate40显然不具备红外摄像头，但是它为后置摄像头配备了一枚激光对焦传感器。激光对焦传感器可向被拍摄物体发射低功率的光束。

通过反射并被接收器接收，处理器会以此为准计算出与被拍摄物体的距离，最后由摄像头完成对焦。通过激光对焦传感器，手机的拍摄系统会快速、准确地完成对焦工作。

在后置拍摄方面，Mate40与P40使用了相同参数的镜头，包括5000万像素广角镜头（2.4微米大像素、1/1.28 英寸传感器、f/1.9光圈）、1600万像素超广角镜头（f/2.2光圈）、800万像素长焦镜头（f/2.4光圈，支持3倍光学变焦、OIS光学防抖）。

P40在前置人像方面表现突出，符合其主打的时尚风格，Mate40虽然为后摄配备了激光对焦传感器，但相比P40，也仅是对焦速度上的差异。然而Mate40拥有性能更强的处理器，即使在摄像头相同的情况下，结合其出色的硬件性能，在综合拍照能力方面更胜一筹。

参考资料来源：

百度百科—华为P40

百度百科—华为Mate40

核能的计算，1u=931.5Mev。

u是质量的单位，与kg类似，不过数量级不同。Mev是能量的单位，与J类似，也是数量不同。

1u=1.660566*10-27千克（-27指的是次方），大部分题中保留1u=1.7*10-27千克。

M值得是10的六次方，ev指的是一个电子电量在1v电势差下的电势能。换句话来说，就是用1v的电压给静止的电子加速，电子所具有的动能。

不难看出，1ev=1.6*10的-19次方J；根据质能方程，当发生核裂变或核聚变时，亏损了1u的质量，产生的能量可以通过E=△m*c^2来求解，在通过ev与J之间的换算，即可得出这样的结论：1u的质量亏损，对应的是931.5Mev。